一、 介紹
本文旨在描述 NCF3321 的 NFC 天線布局的一些相關內容 。為了提供適當的性能,並仍然滿足 CE、FCC 或 MIC 等認證,必須保持基本的模擬設計。
本文提供了一些設計的建議,如就布局而言,設計的哪些部分是最關鍵的,並給出了經過驗證的建議。
有兩個主要部分需要考慮:射頻和天線電路本身,以及電源。
二、 射頻電路布局注意事項
NCF3321 的布局建議如下:
- 元件放置儘可能靠近 IC
- 將兩個緊密放置的電感 L0 彼此垂直或成 45 度角,如圖 2.1 所示。
圖 2.1 L0 彼此垂直
- 將電感 L0 儘可能靠近 NCF3321 以獲得更短的 TX 線路。
- 將 RX 線路的電容靠近 NCF3321 。
對於布線,可以給出以下建議:
- Tx 的線路放置於 Top 層
- 根據匹配的網絡和天線位置,儘可能在頂層布 RX 線或在第三層(內部信號層 1)布 Rx 線。
- Tx 線路上不用任何過孔。
- Rx 線路用盲孔。
- 用任意角度布線。不用 90 度 / 45 度或奇角彎曲。
- RX 和 TX 線路必須與 GND 分離布線(避免串擾)。
- TX 線路以及 Rx 線路相互對稱。如圖 2 所示。
圖 2.2 Tx 布線相互對稱
布局的一個重要部分是 GND 層:
- GND 形狀填充所有層(如圖 3 所示)
- 射頻線周圍設置多個 GND 過孔
- 不允許有測試點
- 射頻線上不要有絲印標籤
- L2_GND 層提供實地層
圖 2.3 NCF3321 Layout 參考圖
三、電源線路建議
除了射頻和天線設計外,電源對於 NFC 板的功能和性能也很重要。特別是對於 DC/DC 轉換器,其布局需要精心設計。NCF3321 為 3.3V 供電,因此,Tx 輸出可以驅動到 ITVDD = 350mA。
基於電源電壓 VDDPA = TVDD = 5.7V,這意味著整個天線電路的總功耗可能高達
Ptot ≈ 2W。
因此,對電源線路布局給出如下建議:
VBATPWR:
- 元件放置儘可能靠近引腳
- 布線儘可能的短
- 線寬 150mil
- 不要過孔
VDDNV、VDDC:
- 將 22uF 電容儘可能靠近 VDDNV / VDDC pin 放置
- 線寬 10mil
- 不要過孔
VDDPA:
- 將 100pF + 4.7uf 電容儘可能靠近 VDDPA pin 放置
- 線寬 ≥ 30mil
- 儘量避免過孔
圖 3.1 電源布線參考圖
VUP:
- 將元件儘可能靠近 VUP pin 放置
- 靠近引腳放置小電容
- 儘量把元件放在晶片的同一側
- 布線為 Cu 形狀
VREF:
- 將 1uF 電容儘可能靠近 VREFF pin 放置
- 布線寬度為 20mil
VMID、TXVCM:
將電容儘可能靠近 VMID pin 放置
3.1 電源布局設計注意事項
如表 1 ,保持寄生電容和電感值低於或等於此值。
電源名稱 |
寄生電容 |
寄生電感 |
最大 VCC |
最大 ICC |
布線細節 |
VBATPWR |
7.7pF |
0.56nH |
5.5V |
800mA |
Cu shape/150mil width |
VDDC |
1.5pF |
0.88nH |
1.14V |
30mA |
Cu shape/thicker trackwidth |
VDDNV |
1pF |
0.98nH |
2.2V |
150mA |
10mil width |
VDDPA |
1.8pF |
0.26nH |
6V |
750mA |
30mil width |
VUP |
8.1pF |
0.68nH |
6V |
750mA |
10mil width |
VREF |
|
|
0.9V |
1mA |
20mil width |
VMID |
|
|
1.8V |
20mA |
thicker trackwidth |
TXVCM |
|
|
3V |
20mA |
thicker trackwidth |
表 1 電源布局設計注意事項
四、小結
本文主要介紹了 NCF3321 天線射頻部分及電源部分的布局設計,希望給大家帶來幫助。
如想了解 NXP NCF3321 之 GND 線路布局或者 clock 線路布局的注意事項,敬請聯繫世平集團 ATU 部門,<atu.sh@wpi-group.com>
【參考文獻】
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作者:Anda Du / 杜紅
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