伴隨著AI人工智慧、邊緣運算、5G與虛擬實境(VR/AR/MR)等應用之蓬勃發展下，促使市場對於 3D NAND Flash 的剛性需求快速的擴張，鎧俠 KIOXIA 身為 NAND Flash 全球第二大的領導廠商，當然也是不斷在技術上做成長與提供客戶更好的產品作為設計用料。
回顧鎧俠 KIOXIA在 3D NAND 技術架構之演進，從 2007 年首先發表與推出新的架構 BiCS Flash (3D NAND Flash)，BiCS2 (第二代) ~ BiCS5 (第五代)都是採用 CNA (CMOS Near Array)技術，BiCS6 (第六代)改採用 CUA (CMOS Under Array)技術，直至2023年四月發表最新 3D NAND 技術 - CBA(註1)。
CBA 全名是 CMOS directly Bonded to Array，透過晶圓間的鍵合和縮放技術架構，改善位元密度和NAND 傳輸速度，最終目的是在更少的層數中實現更大的儲存容量與降低生產成本。
這項技術將是新的里程碑，NAND Flash 代號為 BiCS8 (第八代) ，NAND 的堆疊來到 218 層，位元密度比起上一代技術提高 50% 以上，而且 NAND I/O 的速度比起上一代技術快了60%，可高達 3.2Gb/s 以上。未來這將會導入在新一帶的 SSD 產品中，提供高密度、高容量與更低每位元成本的創新儲存解決方案。
KIOXIA SSD 產品涵蓋了三種應用場合: 企業級(Enterprise)，資料中心級(Data Center)與客戶級(Client)。
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