汽車級碳化矽功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，頂部冷卻式HU3PAK封裝
產品說明
該碳化矽STPOWER MOSFET電晶體採用意法半導體先進、創新的第三代碳化矽 (SiC) MOSFET技術開發而成。該器件在整個溫度範圍內都具有極低的RDS(on)，兼具低電容和非常高的開關頻率，不僅能提高應用中的頻率、能效性能，還能減小系統尺寸和重量。
產品特色
• 增強了Ron*晶片尺寸和Ron*Qg方面的性能，提高了逆變器效率，從而延長電動汽車的行駛里程。
• 超高的額定電壓支持電動汽車進行快速直流充電。
• 超快本徵二極體支持電動汽車車載充電器的雙向性。
• 非常高的頻率能力可減小系統尺寸，採用先進的頂部冷卻式表面貼裝 (SMD) 封裝（HU3PAK封裝），可以減小外形尺寸、提高設計靈活性並優化熱性能，同時增加功率密度。
推薦應用
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