開關電源設計優質選擇！高能效，更可靠，第三代650V SiC二極管

關鍵字 :Vishay SiC Silicon Carbide

Vishay 推出17款新型第三代650V 碳化矽（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors 器件採用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發布的新一代SiC 二極管包括4A 至40A 器件，採用TO-22OAC 2L 和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由於採用MPS 結構，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值係數（FOM），相比上一代解決方案降低17%。

與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

與擊穿電壓相當的矽二極管相比，SiC 二極管熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175˚C 高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。

器件典型應用包括發電和勘探應用領域FBPS 和LLC 轉換器中的AC/DC 功率因數校正（PFC）和DC/DC 超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS 標準，無鹵素，通過2,000 小時高溫反偏（HTRB）測試和2,000 次熱循環溫度循環測試，測試時間和循環次數是AEC-Q101 規定的兩倍。