是時候從Si切換到SiC了嗎?

作者:Uwe Jansen

翻譯:陳子穎

使在過去的幾年裡,碳化矽(SiC)開關器件,特別是SiC MOSFET,已經從一個研究課題演變成一個重要的商業化產品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動車(BEV)驅動系統中採用,但現在,越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什麼。那麼,你從哪裡開始呢?”

工程師老前輩可能還記得雙極電晶體在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達林頓電晶體模塊踢出逆變器的速度有多快。

電力電子的驅動力一直是降低損耗、小型化和提高可靠性。預計這將繼續下去。那麼,是否有必要匆匆忙忙地將每個設計儘快從矽(Si)轉換到SiC?IGBT是否會像幾十年前的雙極達林頓一樣完全從市場上消失?

今天的電力電子應用比80年代和90年代的應用更加多樣化,功率半導體的市場也更大。因此,從Si到SiC的有序的部分替代比所有應用的顛覆性改變更現實。然而,這在具體的應用中取決於SiC為該應用提供的價值。

SiC如何為電力電子設計提供價值?

在使用電感器或變壓器的功率變換系統中,SiC可以提高開關頻率,從而使電感元件更小、更輕,並最終降低成本,這是SiC MOSFET進入光伏逆變器的重要原因。幾年前,SiC MOSFET開始應用在ANPC拓撲結構中,是1500V光伏系統很好的設計方案。這種拓撲結構提高了開關頻率,其中只有三分之一的功率器件採用了SiC MOSFET,系統性價比高。

但並非所有的應用都能從提高開關頻率中受益。在通用變頻器(GPD)應用中,由於沒有電感元件可以從更高的開關頻率中受益。即使在今天使用的不太高的調製頻率下,電機電流也已經是幾乎完美正弦的了。但是,SiC也可以用來減少導通損耗。與IGBT和二極體不一樣,只要應用通常的PWM模式下,SiC MOSFET在兩個方向都具有“無拐點電壓”的特性。因此,如果使用足夠大的晶片面積,就可以實現導通損耗的大幅降低。這使得設計集成在電機中的驅動器成為可能。它可以集成到密封的機箱內,並採用自然冷卻。此外,長時間內工作在輕載的應用,可以利用“無拐點電壓”的特點來降低能耗和總擁有成本(TCO)。


如果體二極體可以用作續流二極體,如英飛凌CoolSiC™ MOSFET,這將提供另一個對某些驅動器很重要的好處。無論功率流方向如何,功率耗散將始終在同一個晶片中,從而大大減少與功率循環有關的溫度波動。

有時,更高的溫度運行被宣稱為SiC的一個好處。在需要在高溫環境下散熱的應用中,這將是一個重要的特性,但前提是封裝和其他系統元件也要適合這種環境。
>>總結一下:

當一個應用可以從Si到SiC的切換中受益時,以正確的策略進行切換是很重要的。但是簡單粗暴的切換可能無法充分利用新的半導體材料的潛力,即使它的工作沒有問題。應該考慮儘量減少直流母線連接和柵極驅動器上的雜散電感,而且在大多數情況下,保護方案也需要調整。由於這需要時間,開發項目應儘早開始,即使目前SiC的供應情況看起來很緊張。”

文章來源:英飛凌工業半導體

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參考來源

: https://mp.weixin.qq.com/s/sJmWNesg1oOLR0TIfxOpFA

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