光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊,採用M1H晶片,導通電阻8-17毫歐五個規格,PressFIT壓接針和NTC。
產品型號:
▪️ DF17MR12W1M1H
▪️ DF16MR12W1M1H
▪️ DF14MR12W1M1H
▪️ DF11MR12W1M1H
▪️ DF8MR12W1M1H
產品特點
▪️ Best-in-Class封裝,高度為12毫米
▪️ 領先的WBG材料和Easy模塊封裝
▪️ 非常低的模塊雜散電感
▪️ 大的反向工作安全區RBSOA
▪️ 1200V CoolSiC™ MOSFET,M1H晶片
▪️ 增大了推薦柵極驅動電壓範圍,從+15...+18V & 0...-5V
▪️ 擴展的最大柵極-源極電壓為-10V到+23V
▪️ 過載條件下的Tvjop最高可達175°C
▪️ 集成NTC溫度傳感器
應用價值
▪️ 突出的模塊效率,系統成本低
▪️ 系統效率提高,減少冷卻需求
▪️ 可以提高開關頻率以提高功率密度
▪️ 最佳的性價比可降低系統成本
競爭優勢
▪️ 廣泛應用的Easy封裝
▪️ 在相同的晶片尺寸下,RDS降低12%。
▪️ 更寬的柵源電壓
▪️ 最高結溫Tvjop為175°C
▪️ 新的晶片尺寸,增加了產品組合
應用領域
▪️ 光伏
文章來源:英飛凌工業半導體
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