新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊

光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊,採用M1H晶片,導通電阻8-17毫歐五個規格,PressFIT壓接針和NTC。

產品型號:

▪️ DF17MR12W1M1H

▪️ DF16MR12W1M1H

▪️ DF14MR12W1M1H

▪️ DF11MR12W1M1H

▪️ DF8MR12W1M1H

產品特點

▪️ Best-in-Class封裝,高度為12毫米

▪️ 領先的WBG材料和Easy模塊封裝

▪️ 非常低的模塊雜散電感

▪️ 大的反向工作安全區RBSOA

▪️ 1200V CoolSiC™ MOSFET,M1H晶片

▪️ 增大了推薦柵極驅動電壓範圍,從+15...+18V & 0...-5V

▪️ 擴展的最大柵極-源極電壓為-10V到+23V

▪️ 過載條件下的Tvjop最高可達175°C

▪️ 集成NTC溫度傳感器

應用價值

▪️ 突出的模塊效率,系統成本低

▪️ 系統效率提高,減少冷卻需求

▪️ 可以提高開關頻率以提高功率密度

▪️ 最佳的性價比可降低系統成本

競爭優勢

▪️ 廣泛應用的Easy封裝

▪️ 在相同的晶片尺寸下,RDS降低12%。

▪️ 更寬的柵源電壓

▪️ 最高結溫Tvjop為175°C

▪️ 新的晶片尺寸,增加了產品組合

應用領域

▪️ 光伏


文章來源:英飛凌工業半導體
 
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參考來源

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