不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!!

GaN憑藉其特性,廣泛應用在LED、射頻、電源轉換等領域,而具體在電源管理應用上,GaN的優勢包括:

  1. 傳導損耗小,能效高。 GaN的導通電阻(RDSon)是傳統矽器件的一半,在相同輸出電流下損耗更小,能效更高。低損耗同時意味著低發熱,從而可以有效地簡化散熱器件和熱管理系統設計

  2. GaN與MOS製程不同,MOS因製程關係會有一個內部二極體但GaN卻沒有所以也沒有反向回復的損耗

  3. GaN的輸入電荷非常小,幾乎沒有柵極驅動損耗

  4. GaN功率器件可以支持更高的開關頻率(GaN:1MHz,Si:<100KHz),從而縮小電源元件的體積

下圖為Ancora FET-E6015PB010的規格,從紅框內所標示出來的數值可以對應上述優勢


GaN的驅動要求

GaNFET的低電壓VGS、低電壓VTH以及寄生參數等影響,使得傳統的Si驅動電路不再適用於GaN,GaNFET的驅動要求更為嚴格,其驅動電路至少具備以下三個功能:

  • 驅動信號可靠性

  • 抗干擾能力

  • 源級迴路寄生電感小

GaN的驅動種類

  • 分離式GaNFET驅動電路。如下列將要介紹的Ancora驅動線路,優勢為價格便宜且便於調整,缺點為須費時設計

  • 集成式GaNFET驅動電路。如LM5113、UCC27611、UCC21520,優勢為隨插隨用,缺點為價格較高

 Ancora 建議的驅動線路


左圖為傳統的分離式驅動模式,控制IC輸出PWM波形,經過了驅動線路到MOS的Vgs端,Vgs≒12V。

右圖為Ancora的建議驅動線路,控制IC一樣輸出PWM波形,經過了Ancora專利線路RRCZ,將Vgs轉換成6V左右且提供負電壓關斷。可針對高頻切換所產生noise的地方增加對抗雜訊的能力。

且上述的線路已在 500W Gaming 電源供應器、1KW 伺服器電源、2KW 網通電源的主要客戶上應用。

Ancora RRCZ 專利線路優點

• 利用簡單的線路直接驅動E-GaN

• 比6V驅動更高的開關速度

• 在閘極關閉的情況下為負偏壓

• 可操作在超過1MHz的切換頻率

• 與大多數的E-GaN驅動線路兼容

實際測試波形

從圖片中可以看出,totem pole driver IC提供的電壓為12V的PWM訊號輸出,此電壓是無法驅動E-GaN。所以透過專利電路主要的動作就是將電壓降成適合E-GaN動作的≒6V電壓且提供負電壓關斷,可針對高頻切換所產生noise的地方增加對抗雜訊的能力。

波形轉換電路操作理論


動作1:當驅動DUT導通瞬間 ,Vcc提供12V驅動,Icharge會通過阻抗較小的R1與暫態時為短路的C1與Z充電.直到Z雪崩崩潰導通時,可以看到右圖Vz的部分有overshoot後,電壓會箝制在6V.這時會開始對C1充電至6V.

動作2:此時進入穩態,為綠色的部分.這時電流就會從Rg1來提供Zener穩定的工作電流.

動作3:當PWM從High到Low時,也就是零件要關斷時.此時與動作1相同,當暫態電壓產生C1等效為短路.關斷的瞬間電流會從阻抗小R1、C1對地放電動作.此時C1的6V電壓在瞬間掛在Z的原件上,會產生一個undershoot的電壓.

動作4:Z導通後,電壓會回到Vf電壓,接近0.7V只要C1放得夠大,存的負能量夠多時.我們可以讓整個off的stage維持很好的負電壓關斷效果,直到下次的PWM由low到high.

可調整的線路架構,讓設計更得心應手

由上述的動作原理可以了解,利用Ancora專利線路可以讓設計的彈性更大,因應更多的測試狀況來調整線路零件的參數。

假設我們要加快turn on與turn off的速度,我們可以調整R1的數值來達成。

下圖為R1放不同阻值會造成的波形。

我們可以利用調整R1的阻值來決定dv/dt的速度。上圖為R1=1 ohm、20 hom、47 ohm的模擬波形。

R1=1 ohm時,他的turn on 速度最快,但是容易會有overshoot的問題。如果真的需要這麼快的速度的操作,要確認不要超過E-GaN的Vgs耐壓。

R1=47 ohm時,他的turn on的速度最慢。

專利線路,讓客戶無後顧之憂

我們可以依照各種設計的情況來調整線路。如果是gate driver IC,他們內建的線路都已經固定。如果要調整,就要增加外部線路,費時又增加cost。

且使用Ancora (碇基)GaNFET的客戶,是無需額外支付專利線路的費用,提供專業與穩定的產品是Ancora(碇基)的設計理念。

課後測驗

  1. 下列哪種線路為碇基的專利線路?
  • (1) RRC。 (2)RRCZ 。(3) RCZ 。(4) 以上皆是。
  1. GaN的優勢包括?
  • (1) 可在高頻下操作(1MHz)。 (2)無反向損耗。(3)無閘極驅動損耗。(4) 以上皆是。
  1. 碇基專利線路的優點?
  • (1) 比6V驅動更高的開關速度。(2)在閘極關閉的情況下為負偏壓。(2)利用簡單的線路直接驅動E-GaN。(4)以上皆是。
  1. 由上述的解說,使用RRCZ線路時如要調整dv/dt的速度,請問是要調整線路中哪個位置的值?
  • (1) Rg1。(2)C1。(3)R1。(4)Z。
  1. 在線路RRCZ操作時,Vcc input 12V,經過RRCZ轉換後,電壓會降至幾伏?

          (1)12V。(2)11.3V。(3)6V。(4)以上皆非。

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參考來源

Ancora-https://www.ancora-semi.com/attached/channel/resources/applicationnote/(Ancora) AN-006_E-GaN Measurement_00_210408.pdf:

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