ST即推出合封的 氮化鎵MOS --MasterGaN 系列後，又推出了單管GaN MOS---STPOWER GaN ，讓我們看看其先進的性能：
STPOWER GaN電晶體是基於氮化鎵 (GaN) 的高效電晶體，而氮化鎵是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換解決方案帶來了極高的附加值。
採用氮化鎵技術，可使電子產品提升效率和性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。與矽基電晶體相比，氮化鎵功率電晶體在品質因數 (FoM)、導通電阻 (RDS(on)) 和總柵電荷 (QG) 方面的表現更出色，提供高漏源電壓能力、零反向恢復電荷（在共源共柵器件中可以忽略）和極低的本徵電容。先進的GaN技術解決方案可以提高功率轉換效率，在滿足極其嚴格的能源要求的同時實現更高的功率密度，它的工作頻率更高，器件外觀更為緊湊。STPOWER GaN電晶體是工業和汽車應用中高效率和高頻率解決方案的核心。
STPOWER GaN 可應用於：
電機控制
開關電源和LED照明
5G和數據中心
光伏和儲能
充電樁
等功率變化產品。
典型封裝Road map 如下，當前已經推出PowerFLAT 5x6 封裝產品兩款，典型內阻為 75mΩ 和 42mΩ，其餘封裝將逐步推出。
ST PowerFLAT 5x6 封裝優勢：
相對於競爭對手，ST 5x6 封裝擁有非常小的熱阻，如下圖：
即將推出多款Demo Board ,適合多種電源應用：
為了設計出高可靠行, 小體積的電源產品，STPOWER GaN 也是一種不錯的選擇，不妨嘗試。
注1. 文字部分引用自ST官網，網址：STPOWER氮化鎵電晶體 - 意法半導體STMicroelectronics
注2. 圖片引用自ST宣傳介紹資料。
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