SGT65R65AL介紹
SGT65R65AL是一款650V、25A的e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件提供極低的導通損耗、高電流能力和超快的開關操作，從而實現高功率密度和無與倫比的效率性能。如今，對功率和高效率的需求不斷增加，這是電力電子環境中最關鍵的挑戰。功率密度和系統成本是兩個額外的要求，這兩個要求越來越重要；因此，必須正確選擇器件技術和電子元件，以針對所有上述規範。寬帶隙技術代表了現代電力電子的突破：事實上，碳化矽（SiC）是大功率和高電壓應用（即電動汽車牽引逆變器）的關鍵技術，而氮化鎵（GaN）在中功率和高頻應用（即功率轉換）中的重要性和擴散性正在增加。
GaN功率器件比矽功率器件具有更好的品質因數（FOM，RDS（on）·Qg），這要歸功於更低的比RDSon和非常低的本徵電容。這導致了功率轉換器中更好的效率、更高的功率密度和增加的最大頻率。極低的柵極電荷值意味著GaN技術的高開關速度，它可以在幾納秒內從關斷狀態切換到導通狀態（反之亦然）。功率器件的高轉換速率（甚至大於100V/ns）在GaN技術中很常見。快速切換節點和信號需要非常徹底的測量技術來捕捉高速波形的所有最重要的細節。
ST功率氮化鎵價值：
1，更高的效率-降低了功率損耗，降低了功耗，超過了最嚴格的能源要求；
2，更高的功率密度-更高的切換速度可降低系統尺寸和成本；
3，重塑動力-GaN的固有特性將推動新的系統設計。功率GAN產品的使用會更綠色世界，更小的產品，更智能的設計。
技術規格：
•增強模式常閉電晶體
•極高的切換速度
•高功率管理能力
•極低電容
•Kelvin源極焊盤，實現最佳柵極驅動
•零反向恢復充電
可應用的範圍：
•AC-DC轉換器
•用於服務器和電信的AC-DC PSU
•LED照明
•不間斷電源（UPS）
管腳分布圖：
典型應用圖：
轉載規格書鏈接：SGT65R65AL - 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor - STMicroelectronics
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