安森美推出EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG 實現800V直流快速充電

1. 前言

隨著當今電動車主電池電壓從 400V 增加到 800V,公共充電基礎設施也正在支援800V電動車充電架構,有助於車主們在公路旅程,加快公共充電時間。直流充電站可以提供高達350 kW 的功率,並在15分鐘內為電動車充滿電。由於其快速充電能力,直流快速充電器是公共停車地點的理想選擇。另外,單台壁掛式或落地式50kW直流快速充電器也能夠為市場上的所有電動車充電,最大限度地利用購物中心/辦公樓/零售場所的停車位。 

一個採用模組化充電解決方案的350 KW充電站,可以在大型機櫃中通過堆疊多個25kW模塊快速部署安裝。安森美半導體為25kW交流/直流轉換器的功率級提供F2封裝的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG,它是一款4mΩ/1200V SiC MOSFET 2-PACK半橋拓撲結構及一個NTC熱敏電阻。通常前端功率級是一個雙向3相6開關PFC拓撲結構,需要用到3個NXH004P120M3F2PTHG功率模塊; 而後端功率級是一個雙向相移全橋DC/DC拓撲結構,需要4個NXH004P120M3F2PTHG功率模塊。

2. 產品特色

► 4mΩ/ 1200 V M3S SiC MOSFET 半橋

► 直接覆銅基板(DBC)

► NTC熱敏電阻

►帶或不帶預塗熱界面材料(TIM)

►帶有可焊接引腳和壓接引腳的選項

►這些器件不含鉛、不含鹵化物且符合 RoHS 標準

3. 內部方塊圖

NXH004P120M3F2PTHG

4. 設計利益

安森美推出了EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG適用於交流/直流轉換器功率級。首先是4mΩ的低導通電阻帶出較低的傳導損耗,其次是兩個關鍵參數EON為1.77mJ、EOFF為1.18mJ帶出更低的開關損耗。因此, EliteSiC功率器件可以在更高的開關頻率下工作,具有更高的轉換效率和更少的廢熱。整體表現是優於傳統的IGBT/MOSFET模組。 

功率模組使用了直接覆銅基板(DBC)作為裸晶的承載體,結-殼熱阻RthJC已經包含了絕緣層。可以在NXH004P120M3F2PTHG的規格書中找到RthJC和RthJH熱阻參數,分別是0.121℃/W和0.263℃/W。由於它的導熱能力更好,使得模組可以在更高的功率下運行。


5. 結語

安森美的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG的最大工作接面溫度為175°C,需要外部控制和柵極驅動器。該模組整合一個5kΩ的NTC,用於測量模組內部裸晶的溫度,它對於散熱系統中的散熱片設計是非常重要的。NXH004P120M3F2PTHG提供更好的散熱表現,有助於電源設計者構建更高功率密度的EV直流快速充電器產品。

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