Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出其碳化矽 (SiC) 產品組合的最新成員：DMWS120H100SM4 N 溝道 SiC MOSFET。 該器件滿足了工業電機驅動、太陽能逆變器、數據中心和電信電源、DC-DC 轉換器和電動汽車 (EV) 電池充電器等應用對更高效率和更高功率密度的需求。（作者：diodes；出處：www.diodes.com）
DMWS120H100SM4產品優勢
＊低RthJC
在高電壓 (1200V) 和漏極電流（高達 37.2A）下運行，同時保持低熱導率 (RθJC = 0.6°C/W)，非常適合在惡劣環境中運行的應用。
＊低 RDS(ON) 和 Qg
該 MOSFET 具有僅為 80mΩ（對於 15V 柵極驅動器）的低 RDS(ON)（典型值），可最大限度地減少傳導損耗並提供更高的效率。
＊額外的Kelvin-Sensing引腳
額外的Kelvin-Sensing引腳可以連接到 MOSFET 的源極，以優化開關性能，從而實現更高的功率密度。
＊低輸入電容
該器件的柵極電荷僅為 52nC，可降低開關損耗並降低封裝溫度。
產品應用
1.數據中心和電信電源
2.工業電機驅動
3.直流-直流轉換器
4.太陽能逆變器
5.電動汽車電池充電器
應用線路
該產品是市場上第一款採用 TO247-4 封裝的 SiC MOSFET。
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