Vishay 高壓4.5V to 60V input, 2A, 4A, 6A, 10A Vishay microBuck SC46x 設計與布局走線介紹！
SiC46x 使用5x5 MLP55-27L包裝。
SiC46x腳位設計擁有ULTRASONIC避免Audio Noise與SS pin靈活的緩啟動設置！搭配COMP與FSW讓RD設計更靈活！
SiC46x系列產品從2A, 4A, 6A, 10A皆為Pin to Pin產品, 讓RD可以自由選擇使用狀況, 避免Re-Desig 。
優於業界的絕對最大額定值 VIN高達66V
寬廣的4.5V to 60V滿足更多應用場景!
內部方塊圖建置UVLO & Over voltage & Over current & Over temperature完整保護客戶電路!
靈活的外部電阻自由設定Power SAVE MODE
6V to 60V input to 5V Output at 6A 參考線路
搭配RLIM設定更精準的Over current保護點!
陶瓷電容建議靠近IC達到最佳去耦合影響, 使用1210或0603(C12=Cin1下到PGND), 小的容值可以提供更好的高頻響應!
VCIN是提供內部LDO與Ton使用Cin2=C2要越近越好，可以通過Via將電容擺放到Bottom層, 但須注意VIA孔徑！IC Pin一出來就透過VIA到Bottom層經過Cin2=C2直接到AGND！
SiC46x 使用5x5 MLP55-27L包裝。
SiC46x腳位設計擁有ULTRASONIC避免Audio Noise與SS pin靈活的緩啟動設置！搭配COMP與FSW讓RD設計更靈活！
SiC46x系列產品從2A, 4A, 6A, 10A皆為Pin to Pin產品, 讓RD可以自由選擇使用狀況, 避免Re-Desig 。
優於業界的絕對最大額定值 VIN高達66V
寬廣的4.5V to 60V滿足更多應用場景!
內部方塊圖建置UVLO & Over voltage & Over current & Over temperature完整保護客戶電路!
靈活的外部電阻自由設定Power SAVE MODE
6V to 60V input to 5V Output at 6A 參考線路
搭配RLIM設定更精準的Over current保護點!
陶瓷電容建議靠近IC達到最佳去耦合影響, 使用1210或0603(C12=Cin1下到PGND), 小的容值可以提供更好的高頻響應!
VCIN是提供內部LDO與Ton使用Cin2=C2要越近越好，可以通過Via將電容擺放到Bottom層, 但須注意VIA孔徑！IC Pin一出來就透過VIA到Bottom層經過Cin2=C2直接到AGND！
SW與電感plane可以大一些以得到更低等校電阻，可以將Snubber電路放到bottom層，但須注意中間層面須隔離避免SW感擾其他訊號！
CVDD電容需擺放在VDD與AGND之間達到最佳抗躁能力，CVDRV需擺放在VDRV與PGND之間並且越近越好，減少影響trace impedance並且提供最大驅動電流for Low side MOSFET 開關使用。
CBOOT and RBOOT離IC越近越好，為了減少寄生電感建議R&C使用0402包裝！
小訊號控制擺放在IC右側並且靠近IC。
散熱孔與散熱走線建議參考原廠設計！
建議整個內層的ground plane左邊PGND右邊ANGD，透過VIA再到Top Layer。
SiC46x 系列產品完整的保護機制有2A & 4A & 6A & 10A版本。
基本IC 包裝資訊！
PCB Land Pattern尺寸
以上先關資料來源來自於Vishay 台灣威世有限公司
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