TOSHIBA東芝的SiC MOSFET模塊專為鐵路車輛逆變器和轉換器、光伏逆變器和工業電機驅動等需要大電流和高電壓的應用而開發，採用我們的第三代SiC-MOSFET芯片實現高可靠性、寬範圍 柵極 - 源極電壓和高柵極閾值電壓。 此外，高耐熱低電感封裝充分發揮了SiC的性能。
作者:東芝半導體
出處連結:https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/articles/features-of-sic-mosfet-modules.html
與競爭對手相比，我們的 SiC MOSFET 模塊具有更寬的柵源電壓 (VGSS) 標準，使驅動設計更加容易。 更高的柵極閾值電壓 (Vth) 規格可防止發生故障。
作者:東芝半導體
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問題在於，為 SiC MOSFET 的漏源之間的寄生二極管通電會擴大 SiC 晶體中的缺陷。 晶體缺陷的擴大會使MOSFET的導通電阻發生波動，也可能導致產品缺陷。
東芝通過採用在 SiC MOSFET 內部與寄生二極管並聯放置肖特基勢壘二極管 (SBD) 的結構解決了這個問題。 由於SBD內置於MOSFET芯片，回流時的反向電流流向SBD，抑制寄生二極管通電。 此外，通過不使寄生二極管工作，抑制了影響可靠性的堆垛層錯的增長。
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與競爭對手相比，我們的 SiC MOSFET 模塊具有更寬的柵源電壓 (VGSS) 標準，使驅動設計更加容易。 更高的柵極閾值電壓 (Vth) 規格可防止發生故障。
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問題在於，為 SiC MOSFET 的漏源之間的寄生二極管通電會擴大 SiC 晶體中的缺陷。 晶體缺陷的擴大會使MOSFET的導通電阻發生波動，也可能導致產品缺陷。
東芝通過採用在 SiC MOSFET 內部與寄生二極管並聯放置肖特基勢壘二極管 (SBD) 的結構解決了這個問題。 由於SBD內置於MOSFET芯片，回流時的反向電流流向SBD，抑制寄生二極管通電。 此外，通過不使寄生二極管工作，抑制了影響可靠性的堆垛層錯的增長。
SiC MOSFET模塊與IGBT模塊對比表
作者:東芝半導體
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專為與 SiC MOSFET 一起開發的模塊比傳統的 IGBT 模塊更小。 此外，高溝道溫度（TchMax = 175°C）和低電感（Lspn = 12nH）（注）確保了 SiC 的高耐熱性和高速性能。
產品模塊陣容
作者:東芝半導體
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產品陣容包括額定電壓範圍為 1200V 至 3300V 的三種全 SiC MOSFET 2in1 型。
東芝可以為特定應用提供最佳模塊。