- ROM : read only memory 唯讀暫存器，斷電後數據不會遺失.
- RAM : random access memory 隨機存取暫存器.
斷電後會遺失斷電後會遺失分為SRAM（static 靜態）和DRAM（dynamic 動態).
SRAM速度最快, 價格貴, 體積相對較大. CPU的L1跟L2緩衝暫存器就是使用SRAM.
DRAM需要通電更新週期, 否則數據會遺失, 速度比ROM快, 電腦主要暫存器就是DRAM. - PROM：programmable ROM 可編寫唯讀暫存器, 只允許寫入一次,又稱為OTP-ROM（one time programmable）.
- EPROM：erasable PROM 光可抹除編寫唯讀暫存器, 需使用紫外線抹除數據, 再用編程器寫入數據.
- EEPROM：electrically EPROM 電可抹除編寫唯讀暫存器. 可多次抹除寫入, 但寫入需較長時間.
口語化記憶重點 如下 : 關機資料不會消失的為ROM，關機資料會消失的為RAM
NOR和NAND是目前市場上兩種最主要的非失效性快閃記憶體技術.
Intel於1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面.
接著在, 1989年東芝公司發表了NAND flash結構, 強調降低bit的成本,更高的性能, 且如磁片一樣可以通過介面輕鬆升級.
截自目前為止仍然有, 相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體.
更別說是周邊相關人員 (如 採購, 業務, 物管等部門)
(註1:參考資料來源 https://www.jendow.com.tw/wiki/NOR%20Flash )
- NOR：可稱為完美的flash,因NOR本身不存在bad block的疑慮.
獲得多數設計端青睞, 而選用NOR來存放開機code, 但因NOR的開發技術較高, 且NOR的容量較小.
(目前多為 521Kb~4Gb為市場主流) - NAND : 因有bad block物理現象的發生,故都需要搭配ECC(偵錯)功能來使用.
且成本較低, 容量較大, 具可堆疊性, 非常適合來做大型資料儲存使用.
(目前多為 1Gb~16Gb為市場主流)
不論NOR或是NAND皆可分為兩種傳輸方式 :
♦並列傳輸NOR : Parallel NOR Flash. 是透過多條線路連接傳送者與接收者,同時將一整組（比如說八個位元）的資料傳送出去.
因I/O傳輸腳位較多, 故可由IC package type來快速判斷主流所屬規格(56-TSOP).
MXIC料號 : MX29GL512GHT2I-10G
♦串列傳輸NOR : Serial NOR Flash (SPI NOR). 不管有多少資料,全都透過單一線路依序排隊的傳送出去。
資料的傳送將被轉為位元, 一個位元接著一個位元的送出. 因為SPI主要四個信號即可做動 (又稱四線傳輸), 可由IC package type來快速判斷主流所屬規格(8-SOP).
MXIC料號 : MX25L25645GM2I-10G
♦並列傳輸NAND : SLC NAND Flash. SLC傳輸I/O也一樣高達8支, 所以也是以並列傳輸為主軸,由IC package type來快速判斷主流所屬規格(48-TSOP).
MXIC料號 : MX30LF1G28AD-TI
♦串列傳輸NAND : SPI NAND Flash. NOR和NAND往常是以Parallel（並列）為主, 由於腳位數超多後來改成以Serial（串列, 或稱SPI bus, 序列周邊介面）為主, 腳位數減了
但為維持效能, 逐漸演變成雙I/O, 4 I/O (也符合ONFi定義)可由IC package type來快速判斷主流所屬規格(8-WSON).
MXIC範例料號 : MX35LF1G24AD-Z4I