理想情況下，交流電源的電壓和電流波形是完全正弦的. 然而,當交流電源連接到系統時.其電壓和電流波形可能會異相或變成非正弦曲線, 功率因數代表電壓和電流之間的時間偏移,可由以下公式定義:
功率因數 = 有功功率 ÷ 視在功率.
所以一般我們都會在Power supply 增加PFC(Power Factor Correction),來提高Power supply的功率因數,當功率因數的數值越大,代表其電力利用率越高.
圖一 為CCM PFC 線路架構.
圖一:
圖一:『Single Phase PFC Power Supply Basic Simulation Circuit』（作者：TOSHIBA；出處：Single Phase PFC Power Supply Basic Simulation Circuit | 臺灣東芝電子零組件股份有限公司 | 台灣 (semicon-storage.com)）
TOSHIBA 目前Sic diode 目前以第二代為主,有著較低的IR和VF,可以有效地降低損耗來提升效率,最新一代的第三代改善了 VF *Qc, VF *IF 在其之中取得平衡,
也改善IF,提高了Diode穩定性,可參考圖二.
圖二:
功率因數 = 有功功率 ÷ 視在功率.
所以一般我們都會在Power supply 增加PFC(Power Factor Correction),來提高Power supply的功率因數,當功率因數的數值越大,代表其電力利用率越高.
圖一 為CCM PFC 線路架構.
圖一:
圖一:『Single Phase PFC Power Supply Basic Simulation Circuit』（作者：TOSHIBA；出處：Single Phase PFC Power Supply Basic Simulation Circuit | 臺灣東芝電子零組件股份有限公司 | 台灣 (semicon-storage.com)）
TOSHIBA 目前Sic diode 目前以第二代為主,有著較低的IR和VF,可以有效地降低損耗來提升效率,最新一代的第三代改善了 VF *Qc, VF *IF 在其之中取得平衡,
也改善IF,提高了Diode穩定性,可參考圖二.
圖二:
圖二『Development Roadmap of SiC SBD』（作者：TOSHIBA；出處：Power MOSFET & SiC Devices)
表一為TOSHIBA Sic diode 與 各廠家Sic diode的比較表,可以看到TOSHIBA 第三代的 Sic Diode 不管是 VF或是操作溫度上都優於其他廠家
可以有效的提高效率和確認Diode壽命.
表一:
表一『campare table of SiC SBD』（作者：TOSHIBA；出處：Power MOSFET & SiC Devices)
表二為TOSHIBA 650V Sic Diode lineup 提供給客戶參考,目前包裝會以TO-220和DFN 8*8為主,電流則是2A~12A(TO-220-2L), 4A~12A (DFN 8*8),VF則是1.2V.
表二:
表二『TOSHIBA 650V Sic Diode lineup』（作者：TOSHIBA；出處：Power MOSFET & SiC Devices)
以上就是TOSHIBA 新一代的Sic diode solution提供給各位參考.