Toshiba MOSFET 應用於LLC 架構 - Part2 次級側 MOSFET

上一回我們已經針對LLC線路架構初級側介紹了TOSHIBA  600V/650V supper junction solution DTMOS第六代,今天主要針對次級側同步整流來介紹TOSHIBA LVMOS, 在SR MOSFET耐壓的選擇上需要考慮,變壓器圈數比和輸出電壓,來決定MOSFET 耐壓,一般12V輸出電壓,依照不同的圈數比通常會選擇40V~80V的耐壓,網通電源54V輸出時則通常會選用到150V 的耐壓,接下來就開始介紹TOSHIBA LV MOSFET solution.

LLC線路架構

TOSHIBA LVMOS Solution,我們稱呼為 U-MOS,目前已出到第十代,稍後會介紹第十代的優點,U-MOS 40V-80V solution 目前U-MOS 40V和60V 目前最新Solution 為U-MOS 第九代, 80V 則是U-MOS 第十代, 150V在2022Q2也推出新的U-MOS 第十代Solution.

圖一:

圖一:『Power MOSFET Design Road Map』(註1) 出處 TOSHIBA Power MOSFET & SiC Devices data.

下圖為U-MOS系列的優缺點演進,從第八代開始調整了Rds,Qg和Qsw有效的降低導通損和切換損和有較低的VDS Spike,在EMI有良好的表現到了第九代,Tch從150度提升到175度,Rds和Qoss也做了調整,改善了效率,最新的第十代有著比第八代第九代更低的Rds,Qg,Qsw,Qoss,大大的幫助提供效率,在Vth上也做了改善,便於設定驅動線路.

圖二:

圖二:『U-MOS series Development Roadmap』(註2) 出處 TOSHIBA Power MOSFET & SiC Devices data.


接下來介紹TOSHIBA U-MOS 150V 最新solution TPH9R00CQH和TPH9R00CQ5, 兩者Rdson都為7.3m ohm(Typ.),兩者的差異在於Qrr,TPH9R00CQ5比起TPH9R00CQ5有這較低的Qrr,較短的逆向恢復時間,Vth為3.3V~4.3V,操作溫度則可以到達175度.

圖三:

圖三:『New Product Series U-MOSⅩ 150V』(註3) 出處 TOSHIBA Power MOSFET & SiC Devices data.

下表則是U-MOS 40V-80V solution 的參數表提供給各位參考.

表一:

表一:『N-ch LVMOS Line up table VDSS=40V』(註4) 出處 TOSHIBA Power MOSFET & SiC Devices data.

表二:

表二:『N-ch LVMOS Line up table VDSS=60V』(註4) 出處 TOSHIBA Power MOSFET & SiC Devices data.

表三:

表三:『N-ch LVMOS Line up table VDSS=80V』(註4) 出處 TOSHIBA Power MOSFET & SiC Devices data.

以上就是TOSHIBA U-MOS solution的最新資料提供給各位參考.

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