DDR3 VOH(dc) 與 VOL (dc) Out of SPEC. 討論說明

關鍵字 :DRAMWinbond

在一般測試DDR3時, 偶爾會遇到VOH(dc)測試值 > 規格值(如下圖範例); 經與原廠FAE 討論整理如下:

究其原因是由於CPU 端有使用 ODT 的關係,如下等效電路圖顯示 RTT 所產生的電流與會有分壓的效應, 導致高位準無法到 VDDQ及低位準無法到 0V 的現象。 以Winbond W634GU6QB Datasheet 為例定義的 VOH(dc) 及 VOL(dc) 是在ODT off 的狀態下所做量測的,當 ODT 有開啟而且 RTT 阻值較小時, 就可能會遇到 VOH(dc) 及 VOL(dc) 無法達到 datasheet spec 的問題,這時候的 VOH(dc) 與 VOL(dc) 不作為規範要求僅作為設計參考使用。

Output DQ VOH / VOL 判定:


DQ(藍色)實際上下的範圍只要滿足 VOH(ac)=VERF+0.1*VDDQ 與 VOL(ac)=VERF-0.1*VDDQ 就算安全範圍。
水平區間概略的算法為在DQS 上半緣或下半緣內(綠色), DQ(藍色) 的high 或low持續的時間要大於等於0.38 tCK 為安全範圍。
Ps. 這個紅綠色線圍起來的範圍是允許左右偏移的.


註:
原創作者: Winbond_ JC Chen

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