芯聞速遞 | 英飛凌推出全新HYPERRAM™存儲晶片,可將高性能低引腳數解決方案的帶寬提高一倍

作者:英飛凌官微

英飛凌科技推出新型HYPERRAM™ 3.0器件,進一步完善其高帶寬、低引腳數存儲器解決方案。該器件具有全新的16位擴展HyperBus™接口,可將吞吐量翻倍提升至800MBps在推出HYPERRAM™ 3.0器件後,英飛凌可提供完善的低引腳數、低功耗的高帶寬存儲器產品組合。該晶片非常適用於需要擴展RAM存儲器的應用,包括視頻緩衝、工廠自動化、人工智慧物聯網(AIoT)和汽車車聯網(V2X),以及需要便箋式存儲器進行數據密集型計算的應用。

新型HYPERRAM™ 3.0存儲晶片

 

英飛凌科技汽車電子事業部高級營銷和應用總監Ramesh Chettuvetty表示:“英飛凌在存儲器解決方案領域擁有近三十年的深厚專業積澱,我們十分高興為市場帶來又一款行業首創產品。全新HYPERRAM™ 3.0存儲器解決方案每個引腳的數據吞吐量遠高於PSRAM、SDR DRAM等市面上現有的技術。其低功耗特性能夠在不犧牲吞吐量的情況下實現更低的功耗,因此這款存儲器是工業和物聯網解決方案的理想選擇。

英飛凌HYPERRAM™是一款基於PSRAM的獨立易失性存儲器,它可提供一種經濟實用的添加方式來擴展存儲器。其數據速率與SDR DRAM相當,但所用的引腳數更少,功耗更低HyperBus™接口每個引腳的數據吞吐量更高,從而可以使用引腳數較少的微控制器(MCU)和層數較少的PCB,為目標應用提供複雜性更低以及成本更優化的的設計方案


關於HYPERRAM™
英飛凌在2017年推出了第一代支持HyperBus™接口的HYPERRAM™器件。第二代HYPERRAM™器件於2021年推出,同時支持OctalxSPI和HyperBus™ JEDEC兼容接口,最高數據速率可達到400 MBps。第三代HYPERRAM™器件支持新的擴展HyperBus™接口,實現了800 MBps的數據速率。HYPERRAM™器件的密度範圍為64 Mb至512 Mb,經AEC-Q100認證並可支持最高125℃工業和汽車溫度等級。


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