使用氮化鎵產品PCB layout 設計注意分享

氮化鎵開關速度比Si快數倍以上，考慮到開關過程中由於PCB寄生電感引起尖峰，震鈴，應力，EMC等問題，所以需要適當的PCB設計來減小寄生電感。

1）：減小驅動迴路寄生電感
驅動環路面積儘量小，驅動路徑儘量短，驅動阻容穩壓器件靠近GaN管，驅動地採用開爾文接法，驅動迴路採用上下層走線方式，PCB寄生電感最小。條件允許或必需時，可以給驅動器件增加屏蔽層。

2）：驅動避開高DV/DT線路
PFC的D極線路，LLC下管的D極線路，LLC上管驅動都是高DV/DT線路，在PCB設計中，驅動部分器件要避開相對高DV/DT線路。

3）：降低驅動地迴路寄生電感
驅動地迴路走線同功率走線分開，功率環路面積儘量小，峰值電流大功率線粗而短，晶片控制周邊敏感信號走線需避開功率環路。