步BUCK降壓變換器的基本結構包括PWM控制器、主開關管（上管，功率MOSFET）和續流管（下管，功率MOSFET）、以及輸出電感和濾波電容。通常，PWM控制器內部帶有直接驅動功率MOSFET的輸出圖騰柱，從而簡化系統設計，如圖1所示。
輸出負載電流較小時，將2個功率MOSFET集成到IC內部，進一步簡化系統設計，降低系統體積，減小佔用PCB面積。
圖1. 同步Buck降壓轉換器
如果輸出電流大，為了降低導通損耗，使用更低導通電阻RDS（on）的功率MOSFET，其輸入電容Ciss隨著導通電阻降低而增大，需要驅動能力更強的驅動器，保證功率MOSFET快速開關，減少開關損耗。
PWM控制器內部的驅動圖騰柱，由於晶元空間尺寸限制和成本考慮，驅動能力有一定限制。如果其驅動能力無法滿足功率MOSFET驅動要求，就需要在外部增加具有更強驅動能力的驅動IC，滿足系統要求，如圖2所示。
圖2. 外加驅動IC
筆記型電腦和伺服器的CPU以及顯卡GPU的供電系統，輸出電流非常大，要求具有快速動態回應特性，通常採用多相同步BUCK降壓變換器，這種供電系統稱為VRM。
而VRM系統功率級發展趨勢，主要在於：驅動IC是和PWM控制器集成，還是和功率MOSFET集成？
早期VRM系統採用方案是將驅動IC和PWM控制器集成，提高控制器內部圖騰柱的驅動能力，解決上述驅動問題。
近年來，VRM使用更高工作頻率，進一步提高功率密度，降低體積。 PWM控制器或外部驅動IC，和功率MOSFET在PCB上都會有一定距離，而且分立功率MOSFET採用單獨封裝，導致功率迴路和驅動迴路的寄生電感和電容比較大，影響系統效率及正常工作。
如果將2個功率MOSFET和驅動IC集成在一個晶元中，採用晶元封裝工藝，在內部優化功率迴路和驅動迴路，就可以最大程度減少寄生電感和電容影響;另外，系統整體尺寸進一步降低，功率密度大幅度提高，滿足高端主機板更嚴苛超頻工作，提升整體效率，這種集成方案的器件稱為DrMOS。同時，DrMOS方案將功率迴路和控制迴路完全分開互不干擾，設計簡潔靈活，系統更為緊湊可靠，非常有利於數位電源的設計。
圖三3. 功率MOSFET和驅動IC集成
Intel 基於應用規定了DrMOS器件的引腳分配，方便不同廠家配合開發相應VRM技術方案，如圖3是DrMOS的一種管腳分配方案。 其中，輸入端，開關節點VSW和功率地，使用更多管腳或更大裸露銅箔，保證更低引線連接電阻和熱阻，增強晶元散熱能力。
圖4. DrMOS管腳分配
圖5. AOZ5473內部方塊圖
DrMOS器件內部集成工藝有2種方案：單晶元方案和分立方案。單晶片方案就是2個功率MOSFET和驅動IC集成在一個晶元上，功率MOSFET通常採用平面工藝，功率MOSFET導通電阻RDS（on）和寄生電容很難降低到更小值，因此，工作頻率和最大輸出電流能力有一定限制。
分立方案是2個功率MOSFET採用分立器件和驅動IC內部封裝在一起，功率MOSFET採用最新垂直SGT技術，導通電阻RDS（on）和寄生電容可以做到非常低值，系統可以工作在更高頻率，具有更大輸出電流能力; 同時，功率MOSFET和驅動IC採用不同工藝，驅動IC工藝複雜，功率MOSFETIC工藝簡單，優化系統性能和成本，圖6為DrMOS分立方案內部結構，2個功率MOSFET和驅動IC採用水準放置。
圖6. DrMOS分立方案
2個功率MOSFET採用層疊上下結構，可以進一步提高晶元功率密度; 晶元封裝採用底部和頂部雙面裸露銅箔散熱，可以進一步降低熱阻，提高晶元散熱能力。
DrMOS內部增加電流和工作溫度檢測功能，電流和工作溫度信號輸出給PWM控制器或CPU/DSP（數位控制器），不但可以進行系統控制和反饋調節整，還可以保護功率器件安全工作，提高系統可靠性。
DrMOS內部可以精確控制上下管死區時間，降低下管寄生二極管導通產生損耗，進一步提高系統效率。