一）：材料特性對比：
1）：第三代半導體比第一代半導體擁有更大禁帶寬帶。具有較低的本徵泄露電流和較高的工作溫度。
2 ）：更大的臨界擊穿電場。對於同樣的擊穿電壓，SiC和GaN材料的飄移區厚度可以比矽器件小1/10左右。
3）：由於e絕緣擊穿場強較大，可以獲得較低的Rdson值。
二）：工藝結構對比：
1）：第三代半導體比第一代半導體擁有更大禁帶寬帶。具有較低的本徵泄露電流和較高的工作溫度。
2 ）：更大的臨界擊穿電場。對於同樣的擊穿電壓，SiC和GaN材料的飄移區厚度可以比矽器件小1/10左右。
3）：由於e絕緣擊穿場強較大，可以獲得較低的Rdson值。
二）：工藝結構對比：
1）：GaN體內PN結特性，即無體二極體特性
2）：D,S間導體通過中間電子層導通，雙向可導通
3）：:耗盡型D-MODE GaN需要負壓關斷，目前使用的為E-MODE GaN，可以實現零電壓關斷
4）：E-MODE GaN有凹槽型增強型、P型GaN柵增強型、共源共柵增強型、
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