隨著產品的多元化發展特色，系統開機或是儲存元件逐漸改採用 eMMC 的架構，
eMMC 的組成基本上涵蓋 Nand Flash + Controller。
底下圖示為 KIOXIA BiCS3 產品:
更多說明，可參考此篇博文介紹: 【KIOXIA 專欄介紹】淺談 e-MMC 快閃記憶體
通常在評估 eMMC 的使用壽命，我們必須要先了解元件的 P/E cycle (Program/Erase)，
換言之， 16 GB 的 eMMC 容量為例，寫入 16 GB，抹除 16 GB，即為一次完整的擦寫。
(這裡為方便解說用整數取代，實際的容量請參考規格書。)
呈上，16 GB 的 eMMC ，3000 次的擦寫性能，如果產品每天只會寫入 8 GB，
相當於每兩天會做一次擦寫，在這樣的條件下，可以用多久呢?
=> 2 天 x 3000 = 6000 天 = 16.4 年
您沒看錯喔，可能產品本身都掛了，但是 eMMC 還是健在說 (這當然取決產品的資料寫入程度)
eMMC 的組成基本上涵蓋 Nand Flash + Controller。
底下圖示為 KIOXIA BiCS3 產品:
更多說明，可參考此篇博文介紹: 【KIOXIA 專欄介紹】淺談 e-MMC 快閃記憶體
通常在評估 eMMC 的使用壽命，我們必須要先了解元件的 P/E cycle (Program/Erase)，
換言之， 16 GB 的 eMMC 容量為例，寫入 16 GB，抹除 16 GB，即為一次完整的擦寫。
(這裡為方便解說用整數取代，實際的容量請參考規格書。)
呈上，16 GB 的 eMMC ，3000 次的擦寫性能，如果產品每天只會寫入 8 GB，
相當於每兩天會做一次擦寫，在這樣的條件下，可以用多久呢?
=> 2 天 x 3000 = 6000 天 = 16.4 年
您沒看錯喔，可能產品本身都掛了，但是 eMMC 還是健在說 (這當然取決產品的資料寫入程度)
在將新數據寫⼊ Nand Flash 的⾴⾯之前，必須先擦除每個⾴⾯。擦除過程會使閃存單元放電，並且在重複過程中，
Nand 晶⽚的氧化層會輕微磨損。考量到這一個因素，故有了 TBW ( Terabytes Written ) 來估算耐用性。
TBW的定義如下:
其中 WAF (Write Amplification Factor) 是寫⼊ Nand Flash 的數據與主機寫⼊的數據的⽐率。最理想的 WAF 為 1。
當然這取決於⼯作負載或⼤⼩寫⼊的數據，因此了解 Page 和 Block 之間的關係以及各⾃⽀持的操作⾮常重要。
如果 WAF 越⾼，TBW 就越低，導致更短的數據保留和 Nand Flash 壽命。
在 JEDEC eMMC v5.1 規範中，有提到可透過 Register 的讀取，了解到元件的使用狀況:
DEVICE_LIFE_TIME_EST_TYP_A [268]
DEVICE_LIFE_TIME_EST_TYP_B [269]
摘錄自 JESD84-B51 ，詳細說明如下:
