總部位於廣東珠海的英諾賽科成立於2015年12月，是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。且採用IDM全產業鏈模式，集晶片設計、外延生長、晶片製造、測試與失效分析於一體。英諾賽科雖然成立不足 10 年，但發展迅猛，目前產品囊括了 40V - 650V 氮化鎵器件，擁有500+ 的研發人員，目前擁有珠海和蘇州兩個 8英寸的氮化鎵晶圓廠，擁有全球最大的8英寸矽基氮化鎵晶圓的生產能力。
眾所周知，氮化鎵材料禁帶寬度大，具備擊穿電場強、熱導率高、電子遷移速率高等特點，能夠設計出高頻高效、高功率密度的解決方案，適合消費電子、數據中心、汽車等領域多方面的應用，但在具體的方案設計上仍然具備一定的挑戰。作為行業領先的氮化鎵IDM公司，英諾賽科的團隊自行研發和設計的氮化鎵功率器件達到了國際的先進水平，且憑藉資深的團隊經驗和能力更是根據市場需求推出了一系列極具競爭力的快充參考設計方案，比如經典的 40W、140W、240W 的解決方案，且這幾個典型的方案效率均達到 95%+。目前英諾賽科的產品已經廣泛的應用在消費類電子、大型數據中心、雷射雷達等領域有很大的市場占有率，在未來，英諾賽科也將在儲能、新能源汽車、基站等領域有更多的布局。
在 7 月 7 日的線上研討會中，英諾賽科的市場工程師 黃佳鑫和研發研發工程師蔡輝特別針對英諾賽科產品Roadmap、經典解決方案等進行了詳細的介紹。隨著市場的發展，傳統的 LED 驅動電源已經沒辦法滿足大家對於產品小型化、高集成化、超薄化等的要求，反之 GaN 的高頻、高效等特性就有了明顯的優勢，對於如何實現LED驅動電源的超薄化這個問題蔡輝在研討會中更是提供了思路，同時也同大家分享 InnoGaN 的 200W 超薄 LED 驅動電源設計解決方案。
英諾賽科的 200W 超薄 LED 驅動電源設計解決方案採用了超薄的設計方式，採用 PFC+LLC架構，內置 3 顆英諾賽科的 GaN 開關管，其中 PFC 採用的是英諾賽科的 INN650D150A 的 GaN 單管，最大導通電阻 150mΩ 的器件；LLC 採用的是 2 顆 INN650D260A 的器件，最大導通電阻可達 260mΩ 。在 230V 滿載時效率可高達 96%，整個 PCBA 的尺寸僅有 13mm，整個設計方案既高效又輕薄，完全可以滿足用戶的各種需求。英諾賽科的在 GaN 等市場上的發展迅猛，市場份額和技術也是不斷在提升。
研討會雖然已經結束，但對於技術的探討並沒有停止，若對本場研討會的檔案或者後續技術探討有需求，大家可聯繫窗口大家如果有實際的需求可以聯繫窗口去做更深層次的技術探討（窗口：tonyyg.li@aitgroup.com.cn），同樣我們大大通本場研討會的在線 QA 檔案已經整理好放在附件咯，大家有需要可以自取咯！
另外，本場研討會的50+ 名中獎名單我們也都已經公布如下，我們的獎品將會在 30 個工作日左右安排發放和寄送，還請大家耐心等候！
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