碳化矽器件「大有可為的功率器件」

碳化矽，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化矽時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

碳化矽的禁帶寬度、臨界擊穿場強，優越於矽2-10倍，比較適合高頻的應用，IGBT工作頻率在20K，碳化矽100K赫茲可以高效的運行。他的開關損耗、導通損耗小，工作溫度比較高，矽的工作結溫是150度到200度，碳化矽理論上可以超過200度。它還有一個特性是可以做一些比較高壓的器件，可以做10kV以上的器件。

隨著電動車的普及，充電樁，充電站的市場占有率越來越高，為了解決里程充電焦慮，充電樁的充電功率會越來越高，從幾千瓦到十幾千瓦，甚至更高功率的都會慢慢普及，這些充電樁的直流充電電壓高達600-800V，乃至向著1000V的指標邁進。過去的400v的產品中IGBT是功率器件的常客，但是隨著電壓的升高，後續SIC會逐步取代現有的IGBT成為主流

在數字電源的應用領域，開關越高，意味著用的電感量越少，便於過安規認證，但是開關頻率升高帶來的副作用是開關損耗的增加會導致電源效率降低，但是隨著SIC的器件的普及在數值電源中常考慮的開關損耗，器件恢復時間等問題都會得到很大的改善。

美國微芯科技提供碳化矽(SiC)電源解決方案，縮短產品的上市時間降低設計風險。微芯的解決方案包括業界最廣泛、最靈活的SiC模具、二極體、mosfet、柵門驅動器、可定製的先進電源模塊設計和封裝。  

  
美國微芯科技提供的SIC產品有如下幾大類

• SiC die供無與倫比的堅固性和性能。氧化物壽命超過100年，穩定的體二極體加上一流的雪崩堅固性，短路能力和中子敏感性，可以幫助客戶輕鬆，快速和自信地採用SiC。我們的SiC電源解決方案提供最低的系統成本，最快的上市時間和最低的風險
  
  
  
• SiC 分立器件，包括SiC的MOSFET，DIODE

       SiC 模塊

      

       碳化矽(SiC)柵驅動器
       

• 美國微芯科技的SiC器件目前供貨周期較短，成本大致同英飛凌，ST相當

    應用領域

    1 大功率的數字電源

    2 大功率的快速直流充電樁

    3 大功率逆變產品