英飛凌IGBT單管命名規則 - 大大通(繁體站)

Infineon 作為IGBT大廠，除了種類繁多的模塊型號，還有單管型號也是數不勝數。好在單管封裝沒有那麼多複雜的拓撲，封裝形式也有限。因此IGBT單管的命名規則相對簡潔一些。

IGBT單管以時間為界，有兩套體系

對於2013年3月份之前release的器件，命名規則如下圖。主要傳達的信息有：晶片種類（是否有續流二極體）+封裝形式+電流等級+電壓等級+晶片類型+是否車規級晶片:

單管塑封殼上面都會有雷射打標，這可以說是料號的“暱稱“——用更少的字母，表達了豐富的特性。例如對於IHW20N120R3這顆器件，它的封裝上的標誌是H20R1203，各數位含義和料號的命名規則相同，如下圖：

對於2013年3月之後release的器件，它的命名規則稍有不同。

1	首先，封裝形式更加豐富了，從6種拓展到了11種，新增封裝類型包括：TO247-4pin，TO247plus-3pin/4pin，高級絕緣的TO247 3pin，以及使用燒結技術的TO263 3pin。由於新型封裝形式層出不窮，表示封裝的第3數位還會繼續拓展，不斷更新。
2	第7數位表示了反並聯二極體的類型（EmCon, rapid1, rapid2），以及其電流等級是否和IGBT相同，如相同，則標為full rated。第8數位代表了IGBT類型，可以看到這套命名規則里的IGBT晶片類型，可比上一代多多啦，從TRENCHSTOP™ 2到最新的TRENCHSTOP™ 7應有盡有。
3	在高級絕緣TO247 3pin產品最後一位，可能還會有一個字母E，這個字母E代表最具性價比的高級絕緣方案。如果預設，則默認為性能最優的高級絕緣方案。