日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)推出了一款 150V N 溝道功率 MOSFET>TPH9R00CQH，它採用最新一代工藝U-MOSX-H，
適用於工業設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站中的電源。
備註
TPH9R00CQH(STD):已量產新產品
TPH9R00CQ5(HSD):開發中
TPH9R00CQH的漏源導通電阻比 TPH1500CNH 低約 42%，TPH1500CNH 使用前一代工藝 U-MOSⅧ-H 的 150V 產品。
新型 MOSFET結構的優化改善了漏源導通電阻和柵極開關電荷和輸出電荷之間的權衡 ，實現了出色的低損耗特性。
低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ (max) @VGS=10V
高通道溫度額定值：Tch (max)=175°C
此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助於降低開關電源中的電磁干擾 (EMI)
適用於工業設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站中的電源。
備註
TPH9R00CQH(STD):已量產新產品
TPH9R00CQ5(HSD):開發中
TPH9R00CQH的漏源導通電阻比 TPH1500CNH 低約 42%，TPH1500CNH 使用前一代工藝 U-MOSⅧ-H 的 150V 產品。
新型 MOSFET結構的優化改善了漏源導通電阻和柵極開關電荷和輸出電荷之間的權衡 ，實現了出色的低損耗特性。
低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ (max) @VGS=10V
高通道溫度額定值：Tch (max)=175°C
此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助於降低開關電源中的電磁干擾 (EMI)
有兩種包裝類型的表面貼裝封裝可供選擇：SOP Advance 和 SOP Advance(N)
東芝還提供支持開關電源電路設計的工具，除了可以在短時間內驗證電路功能的 G0 SPICE 模型外，現在還可以使用精確再現瞬態特性的高精度 G2 SPICE 模型。
離散功率元件專用高精度SPICE模型（G2模型）是以巨集模型格式創建的，因此G2模型可用一些非線性元件和連續任意函數來表示電氣特性。因此，優點是盡可能的控制了巨集模型的缺點（由於節點數量的增加，導致電路模擬的收斂性和計算速度下降）。G0模型的計算速度更快，適用於功能檢查，而G2模型通過改善ID-VDS曲線的大電流域特性的再現性以及寄生電容的電壓相關特性，可實現更接近實際測量結果的高精度開關模擬，東芝將擴大其功率 MOSFET 產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，幫助降低功耗。
※RMS誤差：RMS誤差（均方根：平方根）用作建模依據。RMS誤差並不能保證模擬誤差。
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