OptiMOS™ 6 100V – 採用最新的功率 MOSFET 技術，為高開關頻率應用樹立了新的行業標杆
與最新的 OptiMOS™ 5 技術相比，英飛淩領先的薄晶圓技術帶來了顯著的性能優勢：
- RDS(on) 降低了18%
- FOM Qg x RDS(on) 改善了 29%
- FOM Qgd x RDS(on) 改善了 42%
英飛淩 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100V 系列產品是電信和太陽能行業等高開關頻率應用的理想選擇。 導通電阻（RDS（on））和品質因數（FOM - RDS(on) x Qg和Qgd）的性能改進使設計人員能夠提高效率、使熱設計更加便捷、減少並聯，進而降低系統成本。 得益於這些改進，OptiMOS™ 6 100V 還可用於由電池供電的應用，如伺服器、電動工具、無人機和機器人，以及電池管理系統等應用。
● 封裝有 SuperSO8 和 PQFN3.3x3.3
● 產品定位
● OptiMOS™ 5 相比，具有下列技術特點：- RDS(on)降低約 20%
- FOMg 改善了 30%，FOMgd 改善了40%
- 較低和較柔和的反向恢復電荷 （Qrr)
- 175 °C 結溫等級
- 高雪崩能量等級
- 無鉛鍍層，符合RoHS標準
● 優點：
- 導通損耗低
- 開關損耗低
- 快速開啟和關閉
- 減少並聯
- 性能穩健可靠
- 環保
● 產品組合：
參考於Infineon