氮化鎵GaN是氮（N）和鎵（Ga）的化合物，同時被視為高科技領域中重要的第三代半導體材料。過去功率開關元件普遍使用的材料是矽，但矽本身不耐高電壓，在熱能和電力傳輸方面有限，元件也無法變得更小，氮化鎵GaN 與矽相比較有著更寬的帶隙 , 帶隙越寬 , 越能耐高溫、高壓、高頻、高電流 , 能源轉換效率也越好 , 尺寸上也能做得更小。
隨著近年來氮化鎵 GaN技術逐漸成熟，也開始成為半導體的未來之星 , 英飛凌推出整合功率級 (IPS) 產品 CoolGaN™ IPS 系列，成為旗下眾多寬能隙半導體(WBG)功率元件組合的最新產品。IPS 基本的產品組合包括半橋和單通道產品，目標市場為低功率至中功率的應用，例如 USB-PD、Charger and Adaptor、Server 等產品。
英飛凌CoolGaN IGI60F1414A1L適合低功率至中功率範圍、小型輕量化的設計應用。
隨著近年來氮化鎵 GaN技術逐漸成熟，也開始成為半導體的未來之星 , 英飛凌推出整合功率級 (IPS) 產品 CoolGaN™ IPS 系列，成為旗下眾多寬能隙半導體(WBG)功率元件組合的最新產品。IPS 基本的產品組合包括半橋和單通道產品，目標市場為低功率至中功率的應用，例如 USB-PD、Charger and Adaptor、Server 等產品。
英飛凌CoolGaN IGI60F1414A1L適合低功率至中功率範圍、小型輕量化的設計應用。
英飛凌IGI60F1414A1L半橋架構適合低功率至中功率範圍、小型輕量化的設計應用。外觀為8x8 QFN-28封裝型式，針對散熱效能進行強化，可為系統提供極高的功率密度。此產品包含兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型 (e-mode) HEMT開關以及英飛凌 EiceDRIVER™系列中的電氣隔離專用高低側閘極驅動器。
隔離閘極驅動器具有兩個數位PWM輸入，讓IGI60F1414A1L更易於控制。為了達到縮短開發時間、減少材料表零件項目和降低總成本等目標，整合隔離功能、明確分隔數位和電源接地以及簡化 PCB 配置等，皆是不可或缺的要素。閘極驅動器採用英飛凌採用Coreless Transformer (CT) 技術，將輸入與輸出有效隔離。即便在電壓斜率超過150 V/ns的快速切換暫態下，仍可確保穩定的表現。
IGI60F1414A1L的切換行為可簡易地藉由一些閘極路徑的被動元件實現在不同的應用上，以降低電磁干擾 (EMI) 效應、穩態閘極電流調整和負閘極電壓驅動，在硬切換開關應用中展現穩定運轉。
特徵描述
- 隔離閘極驅動器擁有兩個數位PWM輸入
- 應用程序可配置的切換行為
- 閘極驅動器具有穩定表現
- 加強散熱型 8x8mm QFN-28 封裝
優勢
- 易於驅動，帶兩個數位PWM輸入
- 整體BOM具有競爭力
- 通過簡單的RC電路完全可配置柵極(Gate)路徑
- 允許短死區時間(Dead time)設置以最大限度地提高系統效率
- 小型封裝 8x8mm QFN-28易於PCB Layout佈置
參考於Infineon