Press-Pack IEGTs (PPIs)
將多個IEGT晶片以陣列放置在同一平面上，並使用鉬板從兩側均勻地壓制單個IEGT晶片。通過施加機械壓力，每個IEGT芯片的集電極和發射電極通過鉬板與壓裝盒外殼的相應銅電極接觸。這不僅可以進行電氣連接，還可以散熱。
IEGT是一種高功率元件，可以通過馬達驅動來控制大電流，通過設計IGBT *發射極的元件結構，可以改善隨集電極-發射極電壓增加而導通電壓的急劇增加。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（"東芝"）已開始量產壓裝式注入增強型閘極晶體管（IEGT）"ST2000GXH32"，這款晶體管採用溝槽型IEGT晶片和新開發的用於高壓轉換器的高速二極體晶片。產品集極-射極電壓額定值為4500V，集極電流（DC）額定值為2000A。
二極體的陰極結構抑制反向恢復過程中的電壓振蕩，提高反向恢復容限。 新開發的電壓阻斷結構提高二極管高溫耐壓能力。與東芝現有產品[1]相比，新產品ST2000GXH32可抑制小反向恢復電流時的電壓振蕩，因此可使用小型閘極驅動電阻（RG（on）），導通損耗[2][3]（Eon）從12.0J下降至8.4J（典型值），大約降低30%。 此外，改進後的陰極反向恢復峰值功率提高約29%。同時，由於提升了二極體耐高溫性，ST2000GXH32結溫 額定值（Tj）從125°C提高到150°C （最大值）。ST2000GXH32適用於直流電力傳輸、靜態虛功（VAR） 補償器、馬達驅動逆變器和轉換器等高壓工業設備小型化和節能。
將多個IEGT晶片以陣列放置在同一平面上，並使用鉬板從兩側均勻地壓制單個IEGT晶片。通過施加機械壓力，每個IEGT芯片的集電極和發射電極通過鉬板與壓裝盒外殼的相應銅電極接觸。這不僅可以進行電氣連接，還可以散熱。
IEGT是一種高功率元件，可以通過馬達驅動來控制大電流，通過設計IGBT *發射極的元件結構，可以改善隨集電極-發射極電壓增加而導通電壓的急劇增加。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（"東芝"）已開始量產壓裝式注入增強型閘極晶體管（IEGT）"ST2000GXH32"，這款晶體管採用溝槽型IEGT晶片和新開發的用於高壓轉換器的高速二極體晶片。產品集極-射極電壓額定值為4500V，集極電流（DC）額定值為2000A。
二極體的陰極結構抑制反向恢復過程中的電壓振蕩，提高反向恢復容限。 新開發的電壓阻斷結構提高二極管高溫耐壓能力。與東芝現有產品[1]相比，新產品ST2000GXH32可抑制小反向恢復電流時的電壓振蕩，因此可使用小型閘極驅動電阻（RG（on）），導通損耗[2][3]（Eon）從12.0J下降至8.4J（典型值），大約降低30%。 此外，改進後的陰極反向恢復峰值功率提高約29%。同時，由於提升了二極體耐高溫性，ST2000GXH32結溫 額定值（Tj）從125°C提高到150°C （最大值）。ST2000GXH32適用於直流電力傳輸、靜態虛功（VAR） 補償器、馬達驅動逆變器和轉換器等高壓工業設備小型化和節能。
注：
[1] ST2000GXH31
[2] ST2000GXH31 條件 : VCC=2800 V, IC=2000 A, RG(on)=5.6 Ω, LS≈300 nH, Tj = 125 °C
[3] ST2000GXH32 條件: VCC=2800 V, IC=2000 A, RG(on)=3.6 Ω, LS≈300 nH, Tj = 150 °C
應用
- 直流電力傳輸
- 靜態虛功補償器
- 工業馬達驅動
特性
- 低導通損耗：
- Eon（典型值）＝8.4J（@VCC＝2800V，IC＝2000A，RG(on)＝3.6Ω，LS≈300nH，Tj＝150℃）
- 寬反向恢復安全操作區
- 最大結溫額定值：Tj（最大值）=150°C
主要規格
内部電路
包裝尺寸
應用電路示例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可
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