OＮ推出整合型Dr. GaN Fet: NCP58920/1

價值主張:

NCP58920/1 集成了高性能、高頻率、使用最先進的技術, 650 V， 150 / 50 mΩ 高氮化物 （GAN） 高電子移動性,晶體管 （HEMT） 在單個結構中。Si 驅動與動力的強大結合與單片 GaN 電源模組相比，GaN HEMT 具有卓越的性能。這NCP5892x集成實現顯著減少電路和包裝與離散元件解決方案相比。NCP58920 提供其他重要的保護功能，如獨立電壓下輸入邏輯電路和驅動程式以及熱關機的鎖定.

獨特的功能:

1. 650V/ 150/50 mΩ 集成驅動
2. 最大安培( A)，連續電流處理能力
3. 20 ns 典型驅動程序傳播延遲
4. 8 x 8 毫米 QFN 封裝最小化寄生電感
5. 2.75 毫米爬行距離，以獲得最大可靠性
6. 雙模門驅動強度 （GDS）
7. 10 - 100 V/ns 範圍內的開啟率調整
8. 內置 6.0 V 驅動電壓調節器
9. TTL 相容施密特觸發器和 PWM 輸入
10. UVLO 保護
11. 高達 200 V/ns dV/dt 速率
12. 熱關機
13. 20 V 最大 VDD
    
14. 無 Pb、鹵素

其他特性:

1. 切換損失減少
2. MHz 範圍切換頻率

市場與應用:

 1.所有高功率密度交流直流電源.
 2. Totem pole PFC的快速端被和提升PFC.
 3.所有 半橋、全橋 功率轉換.
 4.高壓同步降壓器和升壓轉換器

包裝信息:

典型應用原理圖:

部分電氣規格:

NCP58920:


NCP58921:

包熱性能比較: