Winbond Flash DRV 25% 與 DRV75%

關鍵字 :WinbondDRV

Drive Strength(也被稱為:driving strength),表示“驅動強度”。這個引數用來控制訊號強度,數值越大代表訊號強度越高。

tri-state:三態,高電平、低電平、高阻。

實質

電路分析時高阻態可做開路理解。你可以把它看作輸出(輸入)電阻非常大。它的極限狀態可以認為懸空(開路)。也就是說理論上高阻態不是懸空,它是對地或對電源電阻極大的狀態。而實際應用上與引腳的懸空幾乎是一樣的。

意義

當閘電路的輸出上拉管導通而下拉管截止時,輸出為高電平;反之就是低電平;如上拉管和下拉管都截止時,輸出端就相當於浮空(沒有電流流動),其電平隨外部電平高低而定,即該閘電路放棄對輸出端電路的控制 。


一般線路上是電阻連接到 SPI flash/RPMC、TPM、PCH 和 EC。
• 客戶傾向於使用更高歐姆的電阻來降低功耗。
• 當EC 或PCH 嘗試從SPI flash/RPMC 讀取代碼時,SPI flash/RPMC 需要將數據輸出到SPI 。
• 常見例子是將 SPI 閃存/RPMC/TPM/PCH/EC 所有 WIRED_OR 搭載高電阻值。
選擇合適的 SPI flash/RPMC 的 I/O 驅動強度是非常重要的,以確保足夠的電流來提供輸出信號以滿足 EC/PCH 的要求。


從根本上實現安全目的,有 4 種方法:

Solutions

BOIS stored at

Security level

Remark

Hardware TPM 2.0

SPI flash

High

popular solution for commercial PC, $0.4~$0.8/pcs

Software TPM(Win10) + RPMC flash(4-set keys)

RPMC

High

will ram up from H2/20’

Software TPM(Win10) + Intel PCH(1-set key)

SPI flash

Middle

key # insufficient

Software TPM(Win10)

SPI flash

Low

popular solution for consumer PC, not secure enough, Microsoft won’t accept it from H2/20’ onward.





由於較高的驅動強度可能會導致系統的 EMI 較高,因此許多只有 1 個 SPI 閃存連接到 MCU 的非 PC 產品更喜歡較低的驅動強度。 所以我們的大多數支架 SPI 閃存將默認驅動強度設置為 25%。
SPI flash/RPMC驅動強度不足的解決方法:
• 調整上拉/下拉電阻以減少SPI 總線的負載。 WinbondFAE 可以提供幫助。
• 較低的 SPI 總線頻率用於 EC/PCH 啟動。 然後EC/PCH通過寄存器設置將SPI flash/RPMC的驅動強度調整為75%。
•使用 Winbond75% 默認驅動強度RPMC/SPI flash Part No.驅動強度問題的解決方案

Winbond DRV的相關料號如下

Volt

Device

PC application

Non-PC application

3.0V

SPI NOR flash

W25QxxJV-IN (75%)

W25QxxJV-IQ (25%)

RPMC compliant

W25RxxJV-IN (75%) -Intel

W74MxxJV-IQ (25%)

W74MxxJV-IN (75%) -AMD

1.8V

SPI NOR flash

W25QxxJW-IN (75%)

W25QxxJW-IQ (25%)

RPMC compliant

W25RxxJW-IQ (75%) -Intel

W74MxxJW-IQ (75%)

 

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