世平集團代理的NXP產品線，TEA2095T是一款專用的高性能同步整流器(SR) IC，用於諧振轉換器的輸出整流控制，該控制器採用自適應柵極驅動方法，可在任何負載下節省最大能量，以提高整體效率，它有兩組驅動控制，用於驅動中央抽頭式變壓器繞組的 SR MOSFET輸出，兩組驅動器皆有自己的感測輸入並獨立運作。它的上一代產品為TEA1995T，兩個產品腳位定義相同，在新產品多結合了一些功能，適用於功率更大的輸出，更好的抗雜訊能力，以及更好的效能表現，同時還額外增加互鎖控制迴路和輸出洩放電功能，以適應於更嚴苛的工作環境，維持穩定的工作表現。
圖1. Typical configuration
圖2. Pin configuration
TEA1995T
TEA2095T相較於前一代TEA1995T，主要的功能提升有以下幾點，首先是VDS 調節電平由55mV降為25mV，使其適用於更低MOS Rdson偵測，以提昇同步整流電路效率，減少損耗在MOSFET上的功率，同時也加強了抗雜訊的能力，以降低容易被PCB trace雜訊影響而誤動作，以下是動作偵測的示意圖。
圖4. Synchronous rectification signals
其次增加了防止外部MOSFET同時傳導的互鎖功能，此功能可避免兩個驅動器同時打開，當關斷一個Gate drive訊號後，IC通常等待200 ns (td(interlock))，然後再打開另一個Gate drive，此時若IC偵測到會有兩路同時開啟的情形時，IC會強制關閉此週期Gate drive輸出，以防止發生短暫Short through的問題，避免因大電流產生的Spike雜訊引起IC誤偵測而動作。 更強的Gate drive能力，驅動電流由1A提昇到2A，同時Gate下拉阻抗由4Ω下降到2.5Ω，以適用於功率更大的場合。而IC的靜態電流損耗由160uA下降到90uA，工作模式下(無Gate充電)電流由1.1mA下降到0.9mA，對於空載或極輕載的效率提昇很有幫助。 而支持的開關頻率由500KHz提昇為1MHz，適用於更高的諧振頻率，更好的工作響應，對於動態負載極端應用的場合，有更快的反應速度；同時也提高了VDS檢測端的耐壓，由100V提升為120V，以適應更高的輸出電壓。 增加了主電源斷開後，可對輸出電容器放電功能，當切斷市電電源後，通過檢測同步整流的工作來判斷市電是否斷開，若偵測到VDS電壓時間超過1.4s皆無變化後，即會啟動放電功能，以0.4 W的恆定功率消耗下，快速洩放輸出電容器，直到VCC電壓低於UVLO時，在1 V VCC電壓下，放電電流逐漸減小至8 mA，放電功能會在UVLO狀態下持續保持，直到VCC電壓增加超過啟動電壓時，放電功能才會停止。
圖5. 放電功能信號（不按比例）
TEA2095T
圖3. Block diagram differences
TEA2095T相較於前一代TEA1995T，主要的功能提升有以下幾點，首先是VDS 調節電平由55mV降為25mV，使其適用於更低MOS Rdson偵測，以提昇同步整流電路效率，減少損耗在MOSFET上的功率，同時也加強了抗雜訊的能力，以降低容易被PCB trace雜訊影響而誤動作，以下是動作偵測的示意圖。
圖4. Synchronous rectification signals其次增加了防止外部MOSFET同時傳導的互鎖功能，此功能可避免兩個驅動器同時打開，當關斷一個Gate drive訊號後，IC通常等待200 ns (td(interlock))，然後再打開另一個Gate drive，此時若IC偵測到會有兩路同時開啟的情形時，IC會強制關閉此週期Gate drive輸出，以防止發生短暫Short through的問題，避免因大電流產生的Spike雜訊引起IC誤偵測而動作。 更強的Gate drive能力，驅動電流由1A提昇到2A，同時Gate下拉阻抗由4Ω下降到2.5Ω，以適用於功率更大的場合。而IC的靜態電流損耗由160uA下降到90uA，工作模式下(無Gate充電)電流由1.1mA下降到0.9mA，對於空載或極輕載的效率提昇很有幫助。 而支持的開關頻率由500KHz提昇為1MHz，適用於更高的諧振頻率，更好的工作響應，對於動態負載極端應用的場合，有更快的反應速度；同時也提高了VDS檢測端的耐壓，由100V提升為120V，以適應更高的輸出電壓。 增加了主電源斷開後，可對輸出電容器放電功能，當切斷市電電源後，通過檢測同步整流的工作來判斷市電是否斷開，若偵測到VDS電壓時間超過1.4s皆無變化後，即會啟動放電功能，以0.4 W的恆定功率消耗下，快速洩放輸出電容器，直到VCC電壓低於UVLO時，在1 V VCC電壓下，放電電流逐漸減小至8 mA，放電功能會在UVLO狀態下持續保持，直到VCC電壓增加超過啟動電壓時，放電功能才會停止。
其餘還有其他更多的功能差異，詳見規格書說明。 而由於近年來缺料的危機，TEA2095T出貨無法滿足需求，在貨況不穩定的情形下，若TEA1995T仍能符合產品設計需求，無疑是增加一個貨源的補充，此兩個產品基本架構差不多，而且Pin to Pin容易互相替換，只是TEA2095T是新世代的產品，多增加了一些功能，還有效能的強化，因此在替換上，只要應用條件能符合，並注意以下幾點，仍然是可以互相替換使用的。 首先在VDS 調節電平有55mV和25mV的差異，舉例來說，若使用一個Rdson為10mΩ的MOSFET，在使用TEA1995T時，電流要達5.5A以上，Gate drive電壓才會離開調節模式，而若使用TEA2095T，則只要2.5A以上，在於有些Rdson選特別小的情況下，使用TEA1995T可能在滿載時，仍然處於調節模式，Gate drive電壓仍然只有5V左右，此時若改用Rdson略高的MOSFET，也許整體效能會好一些，但沒有絕對，要Case by case測試，有些雖然使用5mΩ，但替換兩顆IC測試，整體效率無明顯差異。 而在於抗雜訊方面，TEA2095T規劃用於更大功率的場合，所以也優化了抗雜訊能力，可以減小PCB trace雜訊影響偵測，同時還多了互鎖迴路的功能，大大的避免兩路同時誤開的情形，也就較不容易在ON瞬間產生VDS Spike，所以當換成TEA1995T時，若VDS Spike明顯變高，可以嘗試在Drain sense串接100Ω以內電阻，看看有沒有改善，也可以確認Drain和Source的偵測點，是否PCB走線方式可以再優化，或者是大電流走線上有瓶頸點，有較多的雜訊可能影響到SR偵測，若仍然無法改善，也可以嘗試換換不同的MOSFET試試。
參考資料：ＮＸＰ
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/TEA1995T.pdf
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/TEA2095T.pdf
https://www.nxp.com/products/power-management/ac-dc-solutions/secondary-side-controllers
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