產業研究報告分析,在物聯網的趨勢下,未來會產生非常大的數據,光靠雲端運算無法完全處理,所以須仰賴邊緣運算,長期來看邊緣運算的興起,會讓小型化伺服器與小型資料中心等裝置的需求量大增,且伺服器會越做越小。英飛凌持續專注於現今電源設計面臨挑戰,透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念,英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET採用PQFN3.3×3.3 mm封裝的OptiMOS 25V。
新封裝概念將源極(Source)與導熱片相接 ,而透過導熱片連接至PCB。與現有技術相比,此Source Down OptiMOS可使RDS(on) 降低。相較於傳統的PQFN封裝,接面與外殼間的熱阻 (RthJC) 亦獲得大幅改善。Source Down OptiMOS可承受較的高連續電流。此外,經過最佳化的配置可能性和Layouty走線佈置更有效的PCB利用,可實現更高的設計靈活性和最高效能使縮小產品體積。
Infineon Source Down OptiMOS 優勢如下:
● Source down OptiMOS有2種引腳版本
● Layout佈置
使用Source Down OptiMOS Center-Gate包裝 , Drain與Source端之間沿面距離更大,在 Layout上易於並聯。
● 較低RDS(on)
● 效率
● 優化熱管理
● 熱性能優勢
● Source Down OptiMOS PQFN3.3x3.3 25V-150V產品規格表
● 總結
參考於Infineon
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