英飞凌汽车级1200 V CoolSiC™ MOSFET是专为混动和纯电动汽车应用中OBC和DCDC开发的。它是专门针对汽车工业在可靠性，质量和性能方面的高要求而设计的。
采用CoolSiC™ MOSFET设计的转换器增加开关频率能使磁性元件的体积和重量显著减少多达25％，从而降低系统整体应用成本。在电动汽车更高的效率要求方面，性能的提高满足了新的法规标准。绝佳的栅极氧化层可靠性以及同类最佳的质量保证了长期安全的使用寿命，甚至可以满足非常严苛的工况要求。其它比如最低的栅极电荷和器件电容水平，具有极低反向恢复电荷的内部体二极管，与温度无关的极低开关损耗及导通损耗和无门槛电压导通特性等特点，确保了简单和易于控制的应用设计。
英飞凌汽车级1200 V CoolSiC™ MOSFET，适合各类硬开关和软开关拓扑，如LLC、PSFB。可以像IGBT或CoolMOS™一样选用标准驱动。
应用框图
英飞凌CoolSiC™MOSFET技术在OBC应用中的性能表现
主要特征
- 业界领先的SiC MOSFET沟槽技术，1200V，TO247封装
- 极低的开关损耗
- 兼容IGBT驱动电压（15V开通）
- 0V关断栅极电压
- TJ=175°C
- VGS阈值同类最佳，控制简单
- 短路和雪崩稳健性
- 符合AEC-Q101和英飞凌SiC质量认证
主要效益
- 寿命延长，可靠性提高
- 更高效率
- 更高频率
- 提高功率密度
- 系统综合成本降低
- 系统复杂度降低，易于设计和实现
主要应用
- OBC
- DCDC
- Auxiliary inverters
产品系列
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Type |
VBR |
RDS(on) |
Package |
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AIMW120R035M1H |
1200V |
35mΩ |
PG-TO247-3 |
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AIMW120R045M1 |
1200V |
45mΩ |
PG-TO247-3 |
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AIMW120R060M1H |
1200V |
60mΩ |
PG-TO247-3 |
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AIMW120R080M1 |
1200V |
80mΩ |
PG-TO247-3 |
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