TEA2095T
GreenChip dual synchronous rectifier controller
Rev. 1.1 — 10 April 2020 Product data sheet
- Generaldescription
TEA2095T 是一款用於切換模式的新型同步整流器 （SR） 控制器 IC 電源。它採用了自適應門驅動方法，在 任何負載。TEA2095T 是用於同步整專用控制器 IC 諧振轉換器的二次側。它有兩個驅動階段來驅動SR MOSFET，由中央抽頭二次變壓器繞組輸出。 兩個Mosfet Vgs驅動有自己的輸入，並獨立操作。 TEA2095T 是優化的高效操作與非常低 low-ohmic 以高頻率切換。 TEA2095T 是在絕緣矽 （SOI） 工藝中製造的。
- Featuresand benefits
2.1 效率功能
- 主動型驅動器，可在任何負載時獲得最大效率
- very Low 90 μA 節能運行中的供應電流
- driver low-ohmic的調節水準為+25 mV
2.2 應用功能
- 寬電源電壓範圍從 4.5 V 到 38 V
- 雙同步整流使用左諧振電路
- 具有支援邏輯 ( Logical level ) SR操作5 V操作
- 用於感應每個 SR MOSFET 的差分輸入sensing 洩極和源極的電壓
- SO8包裝
- 電源斷開後輸出電容器的放電
2.3 控制功能
- SR控制，無最小on-time
- 主動型間門驅動器and 傳導結束時快速關閉的
- 低壓鎖定（UVLO）保護與主動門下拉 ( pull-down )
- interlock功能，防止外部MOSFET同時傳導
- 支援1 MHz切換頻率
- Applications
TEA2095T 適用於共振電源( LLC ) 。在此類應用中，它可以驅動 兩個外部同步整流器 Mosfet 用於修正電壓 變壓器的二次繞組。這些MOSFET取代了二極體。它可以是 用於所有需要高效率的電源：
- 適配器
- Desktop電腦and All-in-one PC的電源
- 電視電源
- 伺服器電源
- Blockdiagram
8 Functional description
8.1 Introduction
TEA2095T 是同步整控制器 IC。它非常適合 用於諧振 ( LLC ) 應用。它可以驅動兩個同步整流器MOSFET 中央抽頭二次變壓器繞組輸出。圖 3 顯示典型配置。
8.2 Start-up and undervoltage lockout (VCC pin)
當 VCC 引腳上的電壓超過 Vstart 時，IC Vcc 大於 UVLO 狀態和啟動SR電路。當電壓降至 Vstop 以下時，IC 會重新進入 UVLO 。SR MOSFET gate驅動程式輸出保持在低水準。為了適當操作中，VCC引腳必須與額外的電容器 ( not only with C out ） VCC引腳和GND引腳之間。減少感應效果，因為high-gate驅動電流，額外 ( extra ) 的電容器必須盡可能接近 IC 。
8.3 Drain sense (DSA and DSB pins)
Drain sense 是能夠處理高達 120 V 的輸入電壓的輸入引腳。 在正drain source電壓下，gate驅動程序處於帶拉下閘pulled-down gate的關閉模式驅動程式引腳 （引腳GDA或GDB）。在負 drain source電壓下，IC 啟用 SR 通過感應 drain source 源差壓。
8.4 Synchronous rectification (SR; DSA, SSA, DSB, and SSB pins)
IC senses voltage drain （引腳 DSA 和 DSB）和 source （引腳SSA和SSB）連接。differential voltage
SR Mosfet用於驅動SR Mosfet的大gate。 當此絕對電壓差高於 Vact（drv）時，相應的門gate驅動程式輸出turn on external SR Mosfet。當外部SR switch on ，drain and source 之間的絕對電壓差下降 ( drop ) 到below的 Vact(drv）。The regulation turn on 階段。 In regulation ，IC 調節drain和source 之間的差額輸入到絕對水準（Vreg (drv )）。當絕對差異高於 Vreg （drv）， gate閘門驅動程式輸出增加了外部 Sr MOSFET 的gate電壓 直到達到 Vreg （drv） 級別。SR MOSFET 不會在低電流下關閉。 IC 的運行時間最少。 當絕對差值低於 Vdeact （drv） 時，gate閘門驅動程式輸出會減少 外部SR移動的閘門電壓。大門上的電壓波形 SR MOSFET 遵循電流的波形，直通 SR MOSFET。當 電流通過外部SR Mosfet 達到零，SRMosfet是快速關掉。 SR MOSFET 關閉後，源極電壓增加。用於上述源極電壓 V swoff，一個低歐米卡門拉下來的Rpd（G）保持SRMOSFET的門切換關閉。
8.5 Gate driver (GDA and GDB pins)
閘門 ( gate )驅動電路在上升部分向外部 SR MOSFET 充電電流。推動電路在電流的上升。 閘門驅動程式具有典型的 I source 的源功能和通常的sink 功能 源極和洩極功能允許外部的快速打開和快速關閉 SR Mosfet .最大驅動輸出電壓限制為 VG（max）。這種高輸出電壓驅動器 所有MOSFET品牌的低阻抗性。 在IC提供5V的應用中，最大輸出電壓 驅動( driver ) 限制為5 V.邏輯等級SR可以使用。在啟動條件（VCC < Vstart） 和 UVLO 期間，驅動程式輸出電壓是主動的拉低 ( pull-low )。
8.6 Source sense connection (SSA and SSB pins)
IC 配備了額外的源極 （SSA 和 SSB）。這些引腳是用於測量 SR MOSFET 源極與洩極電壓。來源極輸入必須盡可能接近外部SR的源引腳 Mosfet 它最大限度地減少了pin 腳上電壓差造成的誤差，因為 寄生感應與di/dt值相結合。
8.7 Interlock function
TEA2095T 集成了聯鎖( interlock )功能。聯鎖功能( interlock )避免了同時打開兩個閘門( gate )驅動程序輸出。 關閉閘門( gate )驅動程式輸出後，IC 通常會等待 200 ns（td（interlock）） 後打開其他門驅動程序輸出
8.8 Discharge function
斷開電源電源應導致零輸出電壓 和電源指示器關閉。TEA2095T 包含放電功能， 電源斷開後自動放電輸出電容器。通過監控 同步整改，並應用1.4 s值來區分"否" 負載操作和斷電。放電功能產生快速放電與恆定的功率耗散 0.4 W. 圖 5 顯示二次電流、源極電壓、閘門驅動程式電壓和電源電流。TEA2095T 在上一個 SR 週期後進入節能模式 110 μs。供應 電流更改為非常低的 90 μA 水準，以降低無負載功率。1.4 秒後 如果沒有SR活動，TEA2095T將過渡到放電模式並繪製 電流為0.4 W除以VCC電壓。 對於UVLO 以下的 VCC 電壓，放電電流降低到 8 mA在1 V Vcc伏特。放電功能在UVLO狀態下保持活動狀態。當不斷增加的 VCC 電壓超過啟動水準，放電電流關閉。
評論