安森美半導體650V D2PAK-7L的碳化矽（SiC）MOSFET

安森美半導體(ON Semiconductor)在近期推出650V SiC MOSFET – NTGB015N65SC1，它是一款650V, 15m ohm, D2PAK-7L包裝的SiC MOSFET，適合應用在光伏逆變器(Photo-Voltaic Inverter, PVI)、功率因數校正電路(Power Factor Corrector, PFC)、電動車充電站(Electric Vehicle Charger, EVC)、電訊電源供應器(Telecom Power Supply)或伺服器電源供應器(Server Power Supply)等應用。

              

 

安森美半導體提供的碳化矽（SiC）MOSFET使用了一種全新的技術，與矽(Silicon)相比，該技術提供了卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，NTGB015N65SC1低導通電阻(15mΩ, typ)和緊湊的芯片尺寸確保有較低電容和柵極電荷(Qg)，因此採用安森美半導體所提供碳化矽（SiC）MOSFET的好處包括提升更高效率、更快的工作頻率，增加功率密度，減少EMI和減小系統尺寸。由於NTGB015N65SC1的低導通電阻、低柵極電荷、低漏極遮斷電流(I_DSS)與高接面溫度(T_J)等特性，所以NTGB015N65SC1適合應用有高功率需求、有高穩定性或是需要在高環境溫度下操作，如電動車充電器、電訊電源或伺服電源等。

 

 

 NTGB015N65SC1特色:

1. 高功率密度
2. 寬的柵源電壓
3. 超低的柵極電荷
4. 低輸出等效電容
5. 寬的操作溫度

 

NTGB015N65SC1規格:

1. V_DSS = 650V
2. V_GS = -8V/+22V
3. R_DS(on) = 15mΩ(typ)
4. T_J = -55℃ ~ +175℃
5. C_OSS = 424pF(typ)
6. Qg = 283nC(typ)
7. D2PAK-7L Package

 

應用產品:

• 光伏逆變器
• 功率因數校正電路
• 電動車充電站
• 電訊電源供應器
• 伺服器電源供應器