POWER MOSFET一直是各廠的兵家必爭之地,隨著市場上各種應用Mobile(智慧型手機)、Automotive(車用電子)、Industrial(工業用電源)、PC(筆記型電腦)、Consumer(消費性電子)、Server(伺服器)不斷推陳出新,相對的零件本體規格的提升也相對重要。在本篇文章來介紹一下TOSHIBA低壓MOSFET的產品開發以及特性比較差異。
以下為東芝低壓MOSFET目前最新的products line
現今市場上最常見的產品為U-MOSVIII以及U-MOSIX,接著已陸續在開發最新世代U-MOSX
以下為東芝低壓MOSFET世代主要個別優勢及成長
U-MOSVIII 改善瞬間電壓與電磁干擾
U-MOSIX 通道溫度保證提升至175度
U-MOSX 優化內阻與導通電荷之間的平衡
接著我們就來分享一下最新第十代U-MOSX主要優化內阻RDS(ON) 與 驅動所需電荷Qg/Qsw/Qoss之間做了更好的平衡會有什麼差異
以下為東芝低壓MOSFET目前最新的products line
現今市場上最常見的產品為U-MOSVIII以及U-MOSIX,接著已陸續在開發最新世代U-MOSX
以下為東芝低壓MOSFET世代主要個別優勢及成長
U-MOSVIII 改善瞬間電壓與電磁干擾
U-MOSIX 通道溫度保證提升至175度
U-MOSX 優化內阻與導通電荷之間的平衡
接著我們就來分享一下最新第十代U-MOSX主要優化內阻RDS(ON) 與 驅動所需電荷Qg/Qsw/Qoss之間做了更好的平衡會有什麼差異
以下應用在power supply的初級側,與其他家相比可以看到VDS在spike差異甚大,也意味著EMI表現方便也會比較好
再來看的是效率部分,也可從下圖看的出來大致上落差不大,主要在中種載的時候會有些微差異
以及Reverse recovery也會同步影響到Ringing vs di DR/dt的關系
以下為Telecom power supply 常見的AC/DC以及DC/DC的中低壓(150V)應用位置,
隨著各終端應用的不同,所選擇的規格也會有差異。
