基於PI InnoSwitch3-CP GaN系列應用於TypeC PD Adapter EVB介紹

一.前言
因應市場需求,對於power supply & charger皆走向小型化(擁有更佳的power density)‚高效率之需求,為了符合此目標‚PI 在control IC中‚完成了高集成度之設計‚其中就以InnoSwitch3系列更是實現其高整合度‚包含
1.一次側高壓MosFet
2.一次側QR Flyback control
3.二次側SR control
4.一二次回授溝通零件(三端可調節開關穩壓器&光耦合)
搭配GaN材料的導入‚使其效率明顯的上升‚在有限的ID中‚提供其應用瓦數‚已達到小型化‚高效率目的。

二.USB PD Type C Power Supply Using InnoSwitch-CP INN3279C-H215 EVB
InnoSwitch-CP INN3279C-H215EVB是Power Integrations高整合度的設計與展現,基於AC-DC controller InnoSwitch-CP INN3279C搭配後端PD controller(不限定廠家),已達到:
->高效率:Meets DOE6 and CoC
->小型化:17.4 W / inch3 with enclosure or 11W / inch3 without enclosure
->變電壓:5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A and 20 V / 3 A
可因應不同User應用‚使產品更佳的多元與攜帶的方便。
實體圖
線路圖
layout&dimension


產品特色

高度整合、佔用面積小

  • 準諧振 (QR)/CCM 返馳式控制器、高壓一次側開關、二次側感測和同步整流驅動器
  • 整合式 FluxLink™、HIPOT 隔離回授連結
  • 輕鬆連接負載定向和快速充電協議IC
  • 瞬間暫態響應,負載步階為 0%-100%-0%

EcoSmart™ – 節能

  • 整個滿載範圍內的效率高達 95%
  • 無負載時功率低於 30 mW (包含線電壓感測)
  • 輕鬆符合全球所有節能法規
  • 低散熱

進階保護/安全功能

  • 二次側開關或二極體短路保護
  • 開路 SR FET 閘極偵測
  • 快速輸入線電壓 UV/OV 保護

全面的安全性與合規性

  • 增強絕緣
  • 絕緣電壓大於 4000 VAC
  • 100% 生產 HIPOT 測試
  • 通過 UL1577 和 TUV (EN60950) 安全認證
  • 優異的雜訊耐受性,讓設計達到 EN61000-4 (包括 EN61000-4-2、4-3 (30 V/m)、4-4、4-5、4-6、4-8 (100 A/m) 和 4-9 (1000 A/m)) 及 Ford FMC1278 (RI-115) 要求的 A 級效能。

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