賽皮克，英文名叫SEPIC，又叫單端初級電感轉換器，是一種能夠實現升降壓的非隔離DC/DC拓樸，在標準形式下，它產生的輸出電壓可以大於、小於或等於其輸入電壓，並且極性相同。因此，SEPIC在電池供電的應用中非常有用，因為在這類應用中，電池電壓可能一開始比期望的穩壓輸出較高些，最終卻又變得較低。
如圖1所示，車載鉛酸蓄電池電壓13.8V，9-16V均為其正常工作電壓範圍，在汽車啟動的時候，電池電壓甚至會瞬間跌落至4.5V，此時如果掛在車載電池上的用電設備仍需要保持正常工作，則不得不採用升降壓DC/DC的方案。
圖1：升降壓的應用場合
單開關Buck-Boost是升降壓拓樸，但是Buck-Boost輸出反極性，產生的是負壓輸出，這種負壓輸出應用到LED驅動是很好的方案，卻不能應用到給普通設備供電；四開關Buck-Boost也是升降壓拓樸，也能做到正極性輸出，但就像利物浦主教練克洛普說過“好的球員除了貴，没有任何缺點”，四開關Buck-Boost集成四顆MOS管，對於中小功率場合，成本就不太划算了。
於是乎SEPIC就有了存在的價值，下面為各位簡單講解SEPIC電路的一些故事:
首先是“賽皮克”的工作原理
SEPIC电路的形式如圖2所示，拓樸非常好記，Boost電路中間插入一個LC環節就構成了SEPIC電路。SEPIC電路通常取電感L1和L2相等。
我們都知道，電感在一個開關周期内不儲存能量，所以一個開關周期内電感上的平均電壓等於零，所以容易推出SEPIC電路中間的耦合電容Cac的電壓Vac=Vin。
圖2：Sepic電路的拓樸形式
如圖3所示，當MOS管導通的時段Ton内，輸入電壓給L1充電，耦合電容Cac放電給L2充電，輸出電容Co續流給負載提供能量。由於Vac=Vin，所以電感L1和L2的電流變化變化率相同。
圖3：MOS管導通時Sepic工作原理
如圖4所示，當MOS管關斷的時段Toff内，電源通過L1、Cac、D給負載放電，同時L2也通過D给負載放電。不考慮D的管壓降，L1兩端的電壓和L2兩端電壓都等於Vo，所以電感L1和L2的放電電流變化率也相等。
圖4：MOS管關斷時Sepic工作原理
關於SEPIC的工作過程，這麼理解就比較清晰了：MOS導通的時候，電源給L1充電，耦合電容給L2充電，Co給負載放電，MOS關斷的時候，L1充好的能量釋放给耦合電容，L2從耦合電容得到的能量再釋放給Co，能量就這樣一級一級的向後傳遞。
之所以能夠實現升降壓的功能，我們根據電感的伏秒平衡法則就可以知道啦。
電感L1在Ton時段内電壓為Vin，在Toff時段内電壓為Vout，所以Vin*Ton=Vo*Toff。
換算一下，我們就可以得到SEPIC電路的變化比：
Vo/Vin = D/(1-D)
(D>0.5的時候是升壓，D<0.5的時候是降壓)
介紹完賽皮克的基本工作原理 現在來看一下他的設計注意事項
1.電感選擇時保證低壓側流過最大負載電流時，電感電流的峰值不要超過飽和電流；
上面提到，電感L1和L2在MOS管開通通和關斷的過程中，其電流變化率是相同的，但是電感電流IL1和IL2的平均值卻不相同。我們知道耦合電容一個周期内同樣也不儲存能量，所以流過耦合電容的電流的平均值也等於零，於是可以得到電感L1的電流平均值等於輸入電流的平均值，電感L2的電流平均值等於輸出電流的平均值。由於SEPIC電路中的兩個電感通常選擇参數完全一致的電感，所以我們在電感選擇設計時，需要保證低電壓側流過最大電流時，其電感電流不超過電感spec的飽和電流參數。
2.保證MOS流過的電流不超過IC内部的Current Limit
根據圖3，我們知道MOS管道通的時候，流過MOS的電流等於L1和L2的電流之和，當MOS關斷的時候，流過Diode的電流也等於L1+L2的電流之和。所以MOS的流通能力需要大於輸入+輸出電流的平均值+半個峰峰值並留有一定的裕量。否則正常工作的時候，會導致流過MOS電流觸碰到Current Limit點，從而觸發過流保護。
3.保證MOS的耐壓至少高於Vin+Vout
根據圖4，我們知道MOS管導通的时候，SW點的電壓等於0，MOS管關斷的時候，SW點的電壓等於Vin+Vout，所以MOS管的耐壓需要至少高於Vin+Vout，這一點設計時需要多加注意。
講到這裡，赛皮克基本就講解完了，這個時候，也順便跟大家提一下茲爾塔ZETA的問題。
因為兹爾塔和賽皮克是兄弟，那賽皮克是基於Boost這類低邊(LSD)MOS衍生而来的升降壓電路，兹爾塔則是基於Buck這類高邊(HSD)MOS衍生而来的升降壓電路，電路形式如下圖5所示。和賽皮克相比，幾乎所有的分析都是互易的，由于高邊MOS的成本高於低邊MOS，基於成本考量是比較不推薦的唷！
圖5：Zeta （茲爾塔）電路的拓樸形式
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