近兩年PD在手機，筆記本等消費類產品中得到廣泛的應用，而PD電源方案也是百家爭鳴，安森美半導體一直在智能快充行業里擁有領導的地位，其產品覆蓋面廣，有眾多的解決方案可供選擇，onsemi NCP134X系列晶片都可以完美設計出應用於快充的電源產品，今天給大家分享使用NCP1343設計的100W PD電源，因為在75W以上，就要加上PFC電路來達到高功率因數的要求以符合行業標準，此100W PD電源前級使用onsemi NCP1623作為PFC 級的控制提高了設計需求，輸出控制級使用onsemi FUSE15101的設計滿足了PD3.0/PPS protocol.

NCP1343是集成准諧振控制的flyback晶片，內部集成700V 高壓啟動源並HV具有brown out功能，寬VCC供電電壓範圍9V至28V，適合設計高性能離線電源轉換器，它有專用的谷底鎖定電路控制系統以確保穩定的谷底開關提高產品性能及穩定性。NCP1343增加了PEM控制方式,PEM (Power Excursion Mode)是一種當電源系統在瞬態需要更多功率的時候，系統會進入PEM，在一小段時間將輸出功率提高而不觸發OCP保護的機制，NCP1343有三種方式可以實現，一，提高CS門限電壓使其提高保護點，二，PEM下NCP1343會做升頻處理，提高頻率滿足系統更多的功率需求；三，綜合第一種方式和第二種方式的混合模式。NCP1343可以實現設計到最高500KHz的開關頻率，是設計高功率密度開關電源的最佳選擇。

功率器件使用Si MOSEFT，PFC 升壓電路使用NCP1623推動onsemi 8X8 貼片封裝超級結MOSFET FCMT199N60，flyback部分NCP1343 驅動8X8貼片封裝超級結MOSFET FCMT250N65S3，使用Si mosfet很大程度降低整體方案成本，副邊整流使用NCP4307 推動 onsemi 100V 5X6封裝SGT MOSFET FDMS86180實現同步整流，PD輸出開關使用onsemi 30V 3X3封裝高性能mosfet NTTFS4C02NTAG節省PCB尺寸。